[发明专利]一种分析铸造多晶硅微观结构的方法在审
| 申请号： | 201910960476.2 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110849875A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 谢宇;张发云;饶森林 | 申请（专利权）人： | 新余学院 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人： | 赵红霞 |
| 地址： | 338000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分析 铸造 多晶 微观 结构 方法 | ||
1.一种分析铸造多晶硅微观结构的方法，其特征在于：其包括以下步骤，
步骤一、将铸造多晶硅通过抛光和刻蚀处理；
步骤二、在步骤一后进行观测和拍照；
步骤三、在步骤二后进行分析。
2.根据权利要求1所述的一种分析铸造多晶硅微观结构的方法，其特征在于：其包括以下步骤，
步骤一、将铸造多晶硅通过化学抛光和Secco刻蚀处理，使得铸造多晶硅的晶体内部缺陷在样品表面露出腐蚀坑；
步骤二、在步骤一后用大型金相显微镜进行观测和拍照；
步骤三、在步骤二后进行分析。
3.根据权利要求1所述的一种分析铸造多晶硅微观结构的方法，其特征在于：所述抛光采用的化学抛光液为氢氟酸和硝酸的混合溶液。
4.根据权利要求3所述的一种分析铸造多晶硅微观结构的方法，其特征在于：所述氢氟酸和硝酸按照体积比为1:3进行混合。
5.根据权利要求3所述的一种分析铸造多晶硅微观结构的方法，其特征在于：所述氢氟酸的浓度为49％，所述硝酸的浓度为68％。
6.根据权利要求1所述的一种分析铸造多晶硅微观结构的方法，其特征在于：所述Secco刻蚀处理采用的刻蚀液为氢氟酸、重铬酸钾和冰乙酸的混合液。
7.根据权利要求1所述的一种分析铸造多晶硅微观结构的方法，其特征在于：所述氢氟酸、重铬酸钾和冰乙酸按照体积比为50:25:1进行混合。
8.根据权利要求1所述的一种分析铸造多晶硅微观结构的方法，其特征在于：所述重铬酸钾的浓度为0.15mol/L。
9.根据权利要求1所述的一种分析铸造多晶硅微观结构的方法，其特征在于：所述Secco刻蚀处理前铸造多晶硅表面要清洁，去除表面的油脂等有机污染。
10.根据权利要求1所述的一种分析铸造多晶硅微观结构的方法，其特征在于：所述Secco刻蚀处理前去除硅片表面的机械损伤层。
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