[发明专利]截止移位光纤

说明书

本发明公开了截止偏移光纤。光纤(100)包括从中心纵向轴线(112)延伸到第一轴线的芯部(102)半径r1。此外，光纤(100)包括延伸的第一沟槽区域(106)从第二半径r2到第三半径r3，第二沟槽区域(108)延伸从第三半径r3到第四半径r4和包层区域(110)延伸从第四半径r4到第五半径r5。

技术领域

本发明涉及光纤领域。尤其,涉及具有高模场直径的截止偏移光纤。

背景技术

随着科学技术的进步,各种现代技术被用于交流目的。最重要的现代之一通信技术是光纤通信技术使用各种光纤。光纤用于传输信息作为光脉冲从一端到另一端。电信业是一直努力设计实现高光信噪比和低损耗正在进行的研究建议G.654E的光纤类是G.654B的改进版和G.652.D的替代品面临400G传输的挑战由于非线性影响在地域长途通信中。此外,主要挑战有400G长途通信是由于非线性效应。低光信噪比和高衰减。

鉴于上述讨论，需要一种光纤克服了上述缺点。

发明内容

本发明涉及一种截止偏移光纤，光纤包括芯。另外，光纤包括第一沟槽区域。此外，光纤包括第二沟槽区域。此外，光纤包括包层区域。芯具有第一相对折射率Δ1。第一次相对屈光芯的折射率Δ1在约0至0.12的范围内。而且，第一沟槽区域具有相对折射率Δ3。第一沟槽区域具有第一α沟槽-1。第二沟槽区域与第一沟槽区域相邻。第二个沟槽区域具有相对折射率Δ4。而且，第二沟槽区域具有第二沟槽区域α沟-2。包层区域围绕第二沟槽区域。光学光纤100在1550波长处具有小于或等于0.17dB/km的衰减纳米光纤的模场直径在约12微米的范围内到13微米。光纤的纤芯和沟槽区域逐渐变化折射率分布。本公开的主要目的是提供一种大的光纤模场直径。

本公开的又一个目的是提供低失利光纤。在一方面，本发明提供一种光纤。光纤包括一个芯。

另外，光纤包括第一沟槽区域。而且，光纤包括第二沟槽区域。此外，光纤是包层区域。芯具有第一相对折射率Δ1。第一相对屈光芯的折射率Δ1在约0至0.12的范围内.而且，第一沟槽区域由相对折射率Δ3定义。第一沟槽区域具有第一α沟-1。

第二沟槽区域与第一沟槽区域相邻。第二沟槽区域具有相对折射率Δ4。而且，第二沟槽区域具有a第二个α沟-2。包层区域围绕第二沟槽区域。光纤100在处具有小于或等于0.17dB/km的衰减波长为1550纳米。光纤的模场直径为范围约为12微米至13微米。光纤的核心逐渐变化和折射率分布的沟槽区域本公开的主要目的是提供一种大的光纤模场直径。

本公开的又一个目的是提供低光纤失利在一方面，本发明提供一种光纤。光纤包括一个核心。另外，光纤包括第一沟槽区域。而且，光纤包括第二沟槽区域。此外，光纤是包层区域。芯具有第一相对折射率Δ1。第一次相对屈光芯的折射率Δ1在约0至0.12的范围内。而且，第一沟槽区域由相对折射率Δ3定义。第一沟槽区域具有第一α沟-1。第二沟槽区域与第一沟槽区域相邻。第二沟槽区域具有相对折射率Δ4。而且，第二沟槽区域具有a第二个α沟-2。包层区域围绕第二沟槽区域。光纤100在处具有小于或等于0.17dB/km的衰减波长为1550纳米。光纤的模场直径为范围约为12微米至13微米。光纤的核心逐渐变化和折射率分布的沟槽区域在本公开的实施例中，光纤具有宏弯损耗相当于1550纳米的波长，每100匝0.1分贝弯曲半径约为30毫米，宏观弯曲损耗高达0.1分贝/100在弯曲半径约为30°时，对应于1625纳米的波长毫米。在本公开的实施例中，光纤具有彩色分散范围为每纳米公里约17微

秒至23微微波长为1550纳米的每纳米公里第二。除此之外光纤的电缆截止波长可达1530纳米。在本公开的实施例中，光纤还包括缓冲包层区域。缓冲包层区域由第二相对折射率限定Δ2。另外，缓冲包层区域将芯和第一沟槽区域分开。在本公开的实施例中，芯具有第一半径r1。首先半径r1在2.5微米至5微米和2微米至3.15中的至少一个的范围内微米。

在本公开的实施例中，光纤还包括缓冲器包层区域。缓冲包层区域具有第二半径r2。