[发明专利]通过亚分辨率辅助图形改善接触孔工艺热点的OPC修正方法在审

专利信息
申请号: 201910938247.0 申请日: 2019-09-30
公开(公告)号: CN110579938A 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 孟任阳;李林;于世瑞 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36;G03F7/20
代理公司: 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 焦健
地址: 201315 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 亚分辨率辅助图形 接触孔 版图图形 空间取向 散射条 掩模板版图 标记工艺 尺寸规则 光刻仿真 光学仿真 提升器件 图形缺陷 图形位置 再次利用 掩模板 原始光 检查 偏离 筛选
【权利要求书】:

1.一种通过亚分辨率辅助图形改善接触孔工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:包含如下的步骤:

步骤1、对原始光刻版图图形进行OPC修正,筛选出光刻仿真值偏离目标值的接触孔图形,标记工艺热点的位置;

步骤2、检查标记的工艺热点的图形位置附近的亚分辨率辅助图形的散射条的空间取向,将构成亚分辨率辅助图形的散射条的空间取向定义为第一方向;

步骤3、改变工艺热点图形附近的亚分辨率辅助图形空间取向,旋转部分散射条的第一方向为第二方向;

步骤4、再次对接触孔版图图形进行OPC修正,得到最终的掩模板版图,并再次利用光学仿真检查OPC修正效果。

2.如权利要求1所述的通过亚分辨率辅助图形改善接触孔工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:所述的步骤1中,筛选出光刻仿真值偏离目标值的接触孔图形是指需要筛选出同时满足接触孔光刻仿真值偏离目标值以及掩模板层与相邻图形被掩模板最小尺寸规则限制的图形。

3.如权利要求1所述的通过亚分辨率辅助图形改善接触孔工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:所述步骤2中,通过OPC检查步骤1中筛选出的接触孔图形位置,对其1~2μm附近的散射条进行检查空间取向,并标记出第一方向填充的亚分辨率辅助图形。

4.如权利要求1所述的通过亚分辨率辅助图形改善接触孔工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:所述步骤3中,对通过步骤2标记的第一方向的亚分辨率辅助图形先进行清除,并根据散射条填充规则及到接触孔图形的距离选择性填充第二方向的一至多根的亚分辨率辅助图形。

5.如权利要求1所述的通过亚分辨率辅助图形改善接触孔工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:所述的第一方向为垂直方向,第二方向为水平方向。

6.如权利要求1所述的通过亚分辨率辅助图形改善接触孔工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:所述步骤4中,优先对经过改变过散射条空间取向的工艺热点位置进行光刻仿真失真度位点计算,再次评估OPC修正效果。

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