[发明专利]像素感测装置、有机发光显示装置及其像素补偿方法

权利要求书

1.一种像素感测装置，包括：

多个电流积分器，用于感测多个像素的驱动特性，

其中，每个电流积分器包括：

运算放大器，所述运算放大器配备有：反相输入端，根据所述像素的像素电流向所述反相输入端施加第一输入电压；非反相输入端，根据所述像素电流向所述非反相输入端施加第二输入电压；及输出端，通过所述输出端输出与所述像素电流相对应的积分电压；以及

反馈电容器，连接在所述反相输入端和所述输出端之间，

其中，所述运算放大器包括：

前置放大单元，用于降低放大器输入增益，并配备有所述反相输入端和所述非反相输入端；及

两个增益放大单元，用于接收所述前置放大单元的输出，并用于使放大器输出增益高于所述放大器输入增益，

其中，所述两个增益放大单元包括：

第一增益放大单元，用于接收所述前置放大单元的输出，并通过以差分二极管方式连接的MOS晶体管将所述放大器输出增益增加第一值；及

第二增益放大单元，连接到所述第一增益放大单元，配备有所述输出端，并用于将所述放大器输出增益增加小于所述第一值的第二值，

其中，所述前置放大单元包括：

第一MOS晶体管，配备有连接到所述反相输入端的栅极、连接到第一节点的漏极以及连接到第二节点的源极；

第二MOS晶体管，配备有连接到所述非反相输入端的栅极、连接到第三节点的漏极以及连接到所述第二节点的源极；

第三MOS晶体管，配备有连接到所述第一节点的栅极和漏极以及连接到高电位驱动电压源的源极；

第四MOS晶体管，配备有连接到所述第三节点的栅极和漏极以及连接到所述高电位驱动电压源的源极；及

第五MOS晶体管，配备有连接到偏置电压源的栅极、连接到所述第二节点的漏极以及连接到低电位驱动电压源的源极。

2.根据权利要求1所述的像素感测装置，其中，通过所述第一节点输出所述前置放大单元的反相输出电压，并且通过所述第三节点输出所述前置放大单元的非反相输出电压，

其中所述第一MOS晶体管、第二MOS晶体管和第五MOS晶体管实现为N型，所述第三MOS晶体管和第四MOS晶体管实现为P型。

3.根据权利要求1所述的像素感测装置，其中，所述第一增益放大单元包括：

第六MOS晶体管，配备有连接到所述第三节点的栅极、连接到第四节点的漏极以及连接到第五节点的源极；

第七MOS晶体管，配备有连接到所述第一节点的栅极、连接到第六节点的漏极以及连接到所述第五节点的源极；

第八MOS晶体管，配备有连接到所述第六节点的栅极、连接到所述第四节点的漏极以及连接到所述高电位驱动电压源的源极；

第九MOS晶体管，配备有连接到所述第四节点的栅极和漏极以及连接到所述高电位驱动电压源的源极；

第十MOS晶体管，配备有连接到所述第四节点的栅极、连接到所述第六节点的漏极以及连接到所述高电位驱动电压源的源极；

第十一MOS晶体管，配备有连接到所述第六节点的栅极和漏极以及连接到所述高电位驱动电压源的源极；以及

第十二MOS晶体管，配备有连接到所述偏置电压源的栅极、连接到所述第五节点的漏极以及连接到所述低电位驱动电压源的源极。

4.根据权利要求3所述的像素感测装置，其中，所述第六MOS晶体管、第七MOS晶体管和第十二MOS晶体管实现为N型，并且所述第八MOS晶体管、第九MOS晶体管、第十MOS晶体管和第十一MOS晶体管实现为P型。

5.根据权利要求3所述的像素感测装置，其中，所述第二增益放大单元包括：

第十三MOS晶体管，配备有连接到所述第六节点的栅极、连接到所述输出端的漏极以及连接到所述高电位驱动电压源的源极；及

第十四MOS晶体管，配备有连接到所述偏置电压源的栅极、连接到所述输出端的漏极以及连接到所述低电位驱动电压源的源极。

6.根据权利要求1所述的像素感测装置，其中，所述运算放大器的输入阻抗与所述放大器输出增益成比例，并且与所述放大器输入增益成反比。