[发明专利]成像镜头及摄像装置有效

专利信息
申请号: 201910908145.4 申请日: 2019-09-24
公开(公告)号: CN110967810B 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 冈田和佳;浅见太郎 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: G02B13/00 分类号: G02B13/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 高颖
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 成像 镜头 摄像 装置
【说明书】:

本发明提供一种成像镜头及具备该成像镜头的摄像装置,所述成像镜头即使在成像镜头与像面的空间受到限制的情况下也能够一边抑制大型化,一边确保更多的光量,并具有良好的光学性能。成像镜头从物体侧依次由第1透镜组、光圈及正的第2透镜组构成。第2透镜组在最靠近物体侧具有负透镜,在最靠近像侧具备具有正的屈光力的单透镜或接合透镜。满足与后焦距、主光线对像面的入射角、最大图像高度、从最靠近物体侧的透镜面到最靠近像侧的透镜面为止的距离、从第2透镜组的物体侧主点到光圈为止的距离及第2透镜组的焦距有关的预先确定的条件式。

技术领域

本公开涉及一种成像镜头及摄像装置。

背景技术

以往,作为使用于摄像装置中的成像镜头,已知有在孔径光圈的物体侧和像侧配置了具有正的屈光力的透镜组的2组结构的成像镜头。例如,在下述专利文献1中记载有一种透镜系统,其具有上述结构,并能够应用于单镜头反光相机。在下述专利文献2中记载有一种透镜系统,其具有上述结构,并能够应用于检查装置。并且,在摄像装置中,作为与成像镜头组合而使用的成像元件而广泛地使用CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor:互补型金属氧化物半导体)传感器。

专利文献1:日本特开2010-072359号公报

专利文献2:日本特开2017-083771号公报

近年来,随着CMOS传感器的全域快门化,传感器的入射角依赖性变得比以前更显著。在使用了主光线入射于传感器的入射角大的成像镜头的情况下,即使优化成像镜头本身的周边光量特性,也因传感器的入射角依赖性而导致图像周边部的光量降低。

并且,近年来,为了能够一次进行宽范围的摄影而推进传感器的大型化,存在更加难以抑制图像周边部的光量降低的趋势。

另一方面,由于相机与成像镜头的接合部分即底座的标准已确定、以及在成像镜头周边部还必须配置各种机械零件等,因此光路中可用空间受到限制。由于传感器大型化,因此当光从成像镜头入射于传感器时导致底座本身和/或机械零件成为屏蔽光线的障碍物,有时传感器无法获得足够的光量。

在光量确保方面,专利文献1中所记载的透镜系统因为主光线对像面的入射角度大而成为不利的结构。专利文献2中所记载的透镜系统若要增加光量,则需要更大的空间,导致大型化。

发明内容

本公开是鉴于上述情况而完成的。本发明的一实施方式要解决的课题在于提供一种成像镜头及具备该成像镜头的摄像装置,所述成像镜头在成像镜头与像面的空间受到限制的情况下也能够一边抑制大型化,一边确保更多的光量,并具有良好的光学性能。

用于解决上述课题的具体的方法中包括以下方式。

本公开的第1方式所涉及的成像镜头从物体侧朝向像侧依次由第1透镜组、光圈及具有正的屈光力的第2透镜组构成,第2透镜组在最靠近物体侧具有负透镜,第2透镜组在最靠近像侧具备具有正的屈光力的透镜成分,透镜成分为单透镜或接合透镜,在将空气换算距离中的后焦距设为Bf,将入射于像面的最大图像高度的主光线和与光轴平行的轴所成角度设为CRA,将最大图像高度设为Y,将从最靠近物体侧的透镜面到最靠近像侧的透镜面为止的光轴上的距离设为TL,将以第2透镜组的物体侧主点为基准的到光圈为止的光轴上的距离设为dSt,将第2透镜组的焦距设为f2,关于CRA,相对于与光轴平行的轴而将顺时针方向的角度的符号设为负且将逆时针方向的角度的符号设为正,关于dSt,将比基准更靠近物体侧的距离的符号设为负,将比基准更靠近像侧的距离的符号设为正的情况下,满足由下述式表示的条件式(1)、(2)、(3)及(4)。

0<{Bf×tan(CRA)}/Y<0.4 (1)

0.2<Bf/TL<0.6 (2)

-1<dSt/f2<-0.6 (3)

0.3<Y/Bf-tan(CRA)<0.4 (4)

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社,未经富士胶片株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910908145.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top