[发明专利]一种用于数字操作的DDI IR压降补偿电路有效
申请号: | 201910879883.0 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN110427066B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 郑丞弼;王冬 | 申请(专利权)人: | 广东晟合微电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56;G09G5/00 |
代理公司: | 深圳市恒和大知识产权代理有限公司 44479 | 代理人: | 何园园 |
地址: | 526070 广东省肇庆市鼎湖区桂城新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 数字 操作 ddi ir 补偿 电路 | ||
本发明提供了一种用于数字操作的DDI IR压降补偿电路,其包括参考电压发生器(1)和数字电源电压调节器(2),所述数字电源电压调节器(2)包括第一开关管(MOS_A)、第二开关管(MOS_B)和控制器(21)。通过第一开关管(MOS_A)和第二开关管(MOS_B)切换增益级电阻的地端的连接位置,实现补偿施加到数字域的电压的目的。本发明可以有效解决DDI IR压降问题,尤其适合于进行精细处理的DDI。
技术领域
本发明涉及显示驱动器芯片(DDI),具体是一种用于数字操作的DDI IR压降补偿电路。
背景技术
随着芯片制造工艺向微加工发展,线宽减小,电源电压也随之降低。这种方法的优点是能够在较小的区域实现更快的设计。但是,随着线宽减小,供电线路的电阻值随之上升,由于供电线路电阻和逻辑单元功耗,出现了无法为逻辑单元提供足够电压的IR压降问题。这一问题在移动设备上尤为重要。
DDI中的逻辑门的数量因分辨率(如FHD、WQHD)和逻辑函数的增加而增加。因此,由于数字域的运行而造成的电流消耗正在增加。
由于电源线的金属电阻分量、电流消耗的增加会导致压降传输到数字区域,这些因素导致所述逻辑函数由于逻辑单元延迟偏差而失效。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于数字操作的DDI IR压降补偿电路,以解决现有技术存在的上述缺陷。
为达上述目的,本发明采用的技术方案如下:
一种用于数字操作的DDI IR压降补偿电路,包括参考电压发生器(1)和数字电源电压调节器(2),所述参考电压发生器(1)的地端连接第一地(VSS1),所述参考电压发生器(1)的输出端通过第一电阻(R1)连接数字域的电源端(A),所述数字域的地端(B)通过第二电阻(R2)连接第二地(VSS2),所述数字电源电压调节器(2)包括第一开关管(MOS_A)、第二开关管(MOS_B)和控制器(21),所述第一开关管(MOS_A)跨接在所述第一地(VSS1)和所述参考电压发生器(1)的增益级电阻(R_Up和R_Down)的地端之间,所述第二开关管(MOS_B)跨接在所述数字域的地端(B)和所述参考电压发生器(1)的增益级电阻(R_Up和R_Down)的地端之间,所述控制器(21)分别连接所述第一开关管(MOS_A)的控制端和所述第二开关管(MOS_B)的控制端、用于选择所述第一开关管(MOS_A)导通或所述第二开关管(MOS_B)导通。
当第一开关管(MOS_A)导通、第二开关管(MOS_B)截止时,所述参考电压发生器(1)的增益级电阻(R_Up和R_Down)的地端与第一地(VSS1)相连,此时施加到数字域的实际电压为VOUT-(R1+R2)Idc。当第二开关管(MOS_B)导通、第一开关管(MOS_A)截止时,所述参考电压发生器(1)的增益级电阻(R_Up和R_Down)的地端与所述数字域的地端(B)即IR压降点相连,此时,反馈点FB_P电压降低,所述参考电压发生器(1)的输出电压VOUT增大,从而使得所述数字域两端的电压得到补偿。通过实现控制器(21),使得能够根据数字域中运行的IP(或特定IP运行)的量来选择第一开关管(MOS_A)和第二开关管(MOS_B)的导通/截止状态。
优选地,所述数字域中运行的IP的量小时,所述第一开关管(MOS_A)导通且所述第二开关管(MOS_B)截止;所述数字域中运行的IP的量大时,所述第一开关管(MOS_A)截止且所述第二开关管(MOS_B)导通。
优选地,所述参考电压发生器(1)包括作为初级的第一运放(Amp1)和作为次级的第二运放(Amp2)。
优选地,所述第一开关管(MOS_A)和所述第二开关管(MOS_B)为场效应管。
与现有技术相比,本发明至少具有以下有益效果:
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