[发明专利]多耦合腔超导量子比特的版图结构及量子芯片有效
| 申请号： | 201910862309.4 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110782035B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王乔;郑建辉;郭科选;周明 | 申请（专利权）人： | 华东计算技术研究所（中国电子科技集团公司第三十二研究所） |
| 主分类号： | G06N10/40 | 分类号： | G06N10/40;G06N10/20 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耦合 超导 量子 比特 版图 结构 芯片 | ||
1.一种多耦合腔超导量子比特的版图结构，其特征在于，包括：量子比特运算模块和量子比特耦合模块；
每两个所述量子比特运算模块相互连接构成一个量子比特运算模块组，所述量子比特耦合模块的一端连接在一个量子比特运算模块组的两个所述量子比特运算模块之间，另一端连接在另一个量子比特运算模块组的两个所述量子比特运算模块之间；
所述量子比特耦合模块包括耦合腔；
不同所述量子比特耦合模块之间依次相连呈线状和/或环状。
2.根据权利要求1所述的多耦合腔超导量子比特的版图结构，其特征在于，相连的两个所述耦合腔之间设置有电容。
3.根据权利要求1所述的多耦合腔超导量子比特的版图结构，其特征在于，所述量子比特运算模块包括：十字电容；
所述十字电容包括四个端部：第一端、第二端、第三端和第四端；
所述第一端与量子信号读取谐振腔连接，所述第二端和所述第三端分别与量子信号控制线连接，每个所述量子比特运算模块组的两个十字电容的所述第四端相连。
4.根据权利要求3所述的多耦合腔超导量子比特的版图结构，其特征在于，所述的多耦合腔超导量子比特的版图结构还包括馈线，所述馈线包括馈线输入端和馈线输出端，所述馈线环绕所有的所述量子信号读取谐振腔作为读取总线。
5.根据权利要求3所述的多耦合腔超导量子比特的版图结构，其特征在于，每个所述量子比特运算模块组中的两个所述量子信号读取谐振腔的频率不同。
6.根据权利要求1所述的多耦合腔超导量子比特的版图结构，其特征在于，所述耦合腔包括半波长耦合腔。
7.根据权利要求2所述的多耦合腔超导量子比特的版图结构，其特征在于，所述电容包括交指电容。
8.一种量子芯片，其特征在于，包括权利要求1至7任意一项所述的多耦合腔超导量子比特的版图结构。
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