[发明专利]测试结构和测试方法

权利要求书

1.一种测试结构，用于测试包括多个阻变器件的存储阵列，其特征在于，包括：

存储阵列，包括多个阻变器件，各所述阻变器件包括至少一个磁性层；

第一导电层，与至少部分所述阻变器件接触设置，所述第一导电层的长度延伸方向为第一方向，所述第一方向与所述阻变器件的厚度方向垂直；

第二导电层，与所述第一导电层电连接，所述第二导电层的延伸方向为第二方向，所述第二方向与所述第一方向之间垂直，且所述第二方向与所述阻变器件的厚度方向垂直。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：

第一电极对，包括两个第一电极，各所述第一电极分别与所述第一导电层电连接；

第二电极对，包括两个第二电极，各所述第二电极分别与所述第二导电层电连接。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括多个互联结构，多个互联结构包括多个第一互联结构和多个第二互联结构，其中，一个所述第一互联结构位于所述第一导电层和一个所述第一电极之间，所述第一导电层通过所述第一互联结构与一个所述第一电极电连接，一个所述第二互联结构位于所述第二导电层和一个所述第二电极之间，所述第二导电层通过所述第二互联结构与一个所述第二电极电连接。

4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，至少部分所述互联结构包括沿远离存储阵列的方向设置的且连接的导电通孔和互联金属层，所述互联金属层与所述第一电极或者所述第二电极连接。

5.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：

绝缘介质层，所述存储阵列、所述第一导电层、所述第二导电层和所述互联结构均位于所述绝缘介质层中。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的测试结构，其特征在于，各所述阻变器件包括依次叠置的底电极、存储部以及顶电极，所述第一导电层和所述第二导电层均位于第一表面上，或者，所述第一导电层和所述第二导电层均位于第二表面上，所述第一表面为所述底电极的远离所述存储部的表面，所述第二表面为所述顶电极远离所述存储部的表面。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的测试结构，其特征在于，至少部分所述阻变器件设置在所述第一导电层内，至少部分所述阻变器件设置在所述第二导电层内。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的测试结构，其特征在于，所述第一导电层有两个，所述第二导电层有两个，一个所述第一导电层和一个所述第二导电层均位于第一表面上，另一个所述第一导电层和另一个所述第二导电层均位于第二表面上。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的测试结构，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的材料分别选自Pt，Ta，W，Ir，Hf，Ru，Tl，Bi，Au和Os中的至少一种。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的测试结构，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的材料分别选自Ta，TaN，TiN，Pt，Ta，W，Ir，Hf，Ru，Tl，Bi，Au和Os中的至少一种。