[发明专利]一种星载单粒子锁定检测恢复电路有效

专利信息
申请号: 201910815543.1 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN110426551B 公开(公告)日: 2023-01-20
发明(设计)人: 郝广凯;陆卫强;徐跃峰;华伊;陈劼;田瑞甫;雷鸣 申请(专利权)人: 上海航天测控通信研究所
主分类号: G01R19/165 分类号: G01R19/165;G01R19/25;G05B19/042
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 201109 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 星载单 粒子 锁定 检测 恢复 电路
【权利要求书】:

1.一种星载单粒子锁定检测恢复电路,其特征在于,包括电流检测放大电路、ADC采集电路、MOSFET开关电路和锁定判断处理电路,其中,

所述电流检测放大电路检测若干路二次电源的电流,并将每路电流分别转换为微弱的电压值经放大后输出;

所述ADC采集电路采集所述电流检测放大电路输出的若干路模拟电压值,并将每路模拟电压值分别转换为相应的数字信号发送至所述锁定判断处理电路;

所述锁定判断处理电路分别根据每路数字信号判断该路电路是否单粒子锁定,并相应输出MOSFET使能控制信号输出至所述MOSFET开关电路;

所述MOSFET开关电路根据所述MOSFET使能控制信号控制二次电源的通断,从而实现抗单粒子锁定功能;

其中,所述锁定判断处理电路对所述数字信号求平均值,将所述平均值与对应工作模式下的单粒子锁定电流阈值进行比较:如果所述平均值小于单粒子锁定电流阈值,则判断电路未发生单粒子锁定现象,所述锁定判断处理电路输出的MOSFET使能控制信号为低电平;如果所述平均值大于单粒子锁定电流阈值,且持续时间超过电流阈值时间,则判断电路发生单粒子锁定现象,所述锁定判断处理电路输出的MOSFET使能控制信号为高电平,以关断二次电源输出,并在一定时间后输出的MOSFET使能控制信号为低电平,实现抗单粒子锁定恢复功能;

所述锁定判断处理电路包括微处理器芯片D2;其中,

所述ADC采集电路的ADC采集芯片D1的使能信号1脚连接至所述微处理器芯片D2的输出端;

所述ADC采集芯片D1的控制信号14脚连接至所述微处理器芯片D2的输出端;

所述ADC采集芯片D1的时钟信号16脚连接至所述微处理器芯片D2的输出端;

所述ADC采集芯片D1的输出信号15脚连接至所述微处理器芯片D2的输入端;

所述微处理器芯片D2的若干路MOSFET使能控制信号标志输出至相应的单机遥测处理模块;

所述微处理器芯片D2的若干路所述MOSFET使能控制信号分别连接至所述MOSFET开关电路。

2.根据权利要求1所述的星载单粒子锁定检测恢复电路,其特征在于,所述电流检测放大电路包括精密取样电阻RC1*,分压电阻R1*、R2*、R3*、R4*,滤波电容C1、C2,保护电阻R10、R12,二极管V2及放大器A1,其中,

所述精密取样电阻RC1*串联在二次电源输入端与MOSFET开关电路之间,所述精密取样电阻RC1*将流经其的电流值转换为电压值;

所述分压电阻R1*两端分别接精密取样电阻RC1*的4端与所述放大器A1的同相输入端;

所述分压电阻R2*两端分别接所述放大器A1的同相输入端与GND;

所述分压电阻R3*两端分别接所述精密取样电阻RC1*的3端与放大器A1的反相输入端;

所述分压电阻R4*两端分别接所述放大器A1的反相输入端与放大器A1的输出端;

所述滤波电容C1两端分别接放大器A1的同相输入端与GND;

所述滤波电容C2两端分别接放大器A1的反相输入端与GND;

所述保护电阻R10两端分别接放大器A1的输出端与二极管V2的负端;

所述保护电阻R12两端分别接二极管V2的负端与GND;

所述二极管V2的正端接GND。

3.根据权利要求2所述的星载单粒子锁定检测恢复电路,其特征在于,所述放大器A1选用OP400AY/QMLV。

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