[发明专利]显示面板的图像处理方法及显示面板在审
申请号: | 201910768754.4 | 申请日: | 2019-08-20 |
公开(公告)号: | CN110599960A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 蔡振飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扫描控制 显示面板 发光 边缘像素 数据信号 异形边缘 伽马电压 输出使能 信号控制 显示区 输出 图像处理 图像显示 遮挡 | ||
1.一种显示面板的图像处理方法,其特征在于,所述方法包括:
S10,提供一种具有至少一个异形边缘显示区的显示面板,位于所述异形边缘显示区内的边缘像素输入有输出使能信号、第一扫描控制发光信号以及数据信号,所述第一扫描控制发光信号控制所述数据信号在所述边缘像素上对应输出第一伽马电压组;
S20,将所述输出使能信号对所述第一扫描控制发光信号进行部分遮挡,输出第二扫描控制发光信号,所述第二扫描控制发光信号控制所述数据信号在所述边缘像素上对应输出第二伽马电压组;
S30,所述显示面板基于所述第二伽马电压组的数值在位于所述异形边缘显示区进行图像显示。
2.根据权利要求1所述的显示面板的图像处理方法,其特征在于,所述S10中,所述异形边缘显示区的边缘形状为圆角。
3.根据权利要求1所述的显示面板的图像处理方法,其特征在于,所述S10中,所述第一伽马电压组在所述边缘像素的每一像素行输出的伽马电压数值相同。
4.根据权利要求1所述的显示面板的图像处理方法,其特征在于,所述S20中,所述第二伽马电压组在所述边缘像素的每一像素行输出的伽马电压数值不同。
5.根据权利要求1所述的显示面板的图像处理方法,其特征在于,所述S20还包括:
S201,在所述异形边缘显示区内,将所述输出使能信号对多个边缘像素行对应的所述第一扫描控制发光信号进行部分遮挡,不同边缘像素行对应的所述第一扫描控制发光信号的遮挡脉宽不同;
S202,将所述输出使能信号与各个边缘像素行对应的所述第一扫描控制发光信号进行逻辑运算,输出各个边缘像素行对应的第二扫描控制发光信号,所述第二扫描控制发光信号在所述边缘像素上对应输出第二伽马电压组。
6.根据权利要求1所述的显示面板的图像处理方法,其特征在于,所述显示面板还包括像素驱动电路,所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、存储电容(C1)、有机发光二极管(OLED)、数据信号端(Data)、扫描控制发光信号端(Em)、电源电压(VDD)以及电源负极(VSS)。
7.根据权利要求6所述的显示面板的图像处理方法,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)的源极与所述电源电压(VDD)电性连接,所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极与所述扫描控制发光信号端(Em)电性连接,所述第一薄膜晶体管(T1)的漏极与所述第二薄膜晶体管(T2)的源极电性连接,所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于所述第三薄膜晶体管(T3)的漏极与所述存储电容(C1),所述第二薄膜晶体管(T2)的漏极电性连接于所述存储电容(C1)与所述有机发光二极管(OLED)的阳极,所述第三薄膜晶体管(T3)的源极电性连接于所述数据信号端(Data),所述有机发光二极管(OLED)的阴极电性连接于所述电源负极(VSS)。
8.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区和与所述显示区相邻的非显示区,所述显示区包括至少一个异形边缘区,所述异形边缘区包括多个边缘像素;其中,所述显示面板在所述异形边缘区内输入有输出使能信号和扫描控制发光信号,所述输出使能信号对多个边缘像素行对应的所述扫描控制发光信号进行部分遮挡。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述异形边缘显示区的边缘形状为圆角。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括像素驱动电路,所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、存储电容(C1)、有机发光二极管(OLED)、数据信号端(Data)、扫描控制发光信号端(Em)、电源电压(VDD)以及电源负极(VSS);所述第一薄膜晶体管(T1)的源极与所述电源电压(VDD)电性连接,所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极与所述扫描控制发光信号端(Em)电性连接,所述第一薄膜晶体管(T1)的漏极与所述第二薄膜晶体管(T2)的源极电性连接,所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于所述第三薄膜晶体管(T3)的漏极与所述存储电容(C1),所述第二薄膜晶体管(T2)的漏极电性连接于所述存储电容(C1)与所述有机发光二极管(OLED)的阳极,所述第三薄膜晶体管(T3)的源极电性连接于所述数据信号端(Data),所述有机发光二极管(OLED)的阴极电性连接于所述电源负极(VSS)。
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