[发明专利]一种降低单品硅热场坩埚使用损坏的方法在审
| 申请号： | 201910763844.4 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110408985A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 郭志宏 | 申请（专利权）人： | 大同新成新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 申绍中 |
| 地址： | 037002 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 坩埚 镁砂 混合材料 硼酸 氮化硅粉 称取 热场 铺设 耐高温性 使用寿命 装置维修 坩埚本体 保温层 热导性 石棉网 爆裂 烘烤 磁选 烘干 炉壁 加热 筛选 抵抗 侵蚀 维修 制作 | ||
1.一种降低单品硅热场坩埚使用损坏的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、制作坩埚本体；
S2、在坩埚内的底部铺设石棉网；
S3、称取硼酸和镁砂；
S4、对镁砂进行磁选；
S5、将硼酸、镁砂和水进行混合得到混合材料；
S6、将混合材料铺设在坩埚内的底部；
S7、烘干坩埚内底部的混合材料；
S8、称取氮化硅粉；
S9、对氮化硅粉进行烘烤并筛选；
S10、将氮化硅粉与去离子水进行混合搅拌得到氮化硅粉液体；
S11、将氮化硅粉液体喷涂在坩埚内外的一周侧壁上；
S12、烘干氮化硅粉涂层；
S13、对坩埚表面进行喷涂石墨抗氧化涂层；
S14、烘干石墨抗氧化涂层；
S15、对坩埚涂层进行检查。
2.根据权利要求1所述的一种降低单品硅热场坩埚使用损坏的方法，其特征在于：所述S5中的镁砂分为粗、中、细三种规格，且粗、中、细三种规格的比例为1：1：2，所述硼酸、镁砂和水的比例为16：0.4～0.6：8。
3.根据权利要求1所述的一种降低单品硅热场坩埚使用损坏的方法，其特征在于：所述S6中的混合材料铺设厚度为20mm～30mm。
4.根据权利要求1所述的一种降低单品硅热场坩埚使用损坏的方法，其特征在于：所述S11中的氮化硅粉液体喷涂的厚度为80μm～90μm。
5.根据权利要求1所述的一种降低单品硅热场坩埚使用损坏的方法，其特征在于：所述S12中烘干氮化硅粉涂层的温度为160℃～190℃。
6.根据权利要求1所述的一种降低单品硅热场坩埚使用损坏的方法，其特征在于：所述S13中的石墨抗氧化涂层喷涂的厚度为30μm～50μm。
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