[发明专利]高电源抑制比低温漂的带隙基准源

说明书

高电源抑制比低温漂的带隙基准源，包括预稳压模块、预稳压启动模块、基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块，预稳压启动模块、基准电流源启动模块和带隙基准核心启动模块分别用于在上电时启动预稳压模块、基准电流源模块和带隙基准核心模块；预稳压模块用于产生局部电压为基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电，预稳压模块中结合自偏置带隙基准和翻转电压跟随器，提高了带隙基准源的电源抑制比；基准电流源模块用于产生内部基准电流，通过增添第三条电路改善带隙基准源的电源抑制比；带隙基准核心模块对温度高阶项进行分段线性补偿，具有低温漂的特性。

技术领域

本发明涉及电子电路技术，具体涉及一种高电源抑制比低温漂的带隙基准源。

背景技术

带隙基准电路作为DC/DC转换器、AC/DC转换器、线性稳压器、数模转换器等电路中不可或缺的模块，它的性能好坏决定着整个模拟电路乃至芯片的性能好坏与功能实现。在混合信号系统中，由于数字电路模块的高频率耦合噪声可以通过源、地及模拟数字接口馈通到模拟电路模块，那么会对敏感的模拟电路产生致命影响，所以带隙基准的电源纹波噪声抑制能力越来越引起IC行业的重视。但是，传统的带隙基准电路的温度特性以及电源抑制比普遍较差，严重影响芯片的性能。

发明内容

针对上述传统基准源中电源抑制比低、温度特性差的问题，本发明提出一种带隙基准电路，带隙基准核心模块利用分段线性补偿法实现温度高阶项的补偿，实现了低温漂；提出预稳压模块采用翻转电压跟随器(FVF)结构，产生局部电压为基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电，达到抑制电源纹波的效果；另外基准电流源模块增添第三条电路、带隙基准核心电路采用共源共栅电流镜，有效改善了带隙基准源的电源抑制比；带隙基准核心模块的输出端引入RC低通滤波电路，进一步改善了带隙基准电路在高频处的电源抑制比。

本发明的技术方案如下：

高电源抑制比低温漂的带隙基准源，包括预稳压模块、预稳压启动模块、基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块，

所述预稳压启动模块用于在上电时启动所述预稳压模块，并在所述预稳压模块正常工作后退出；

所述预稳压模块用于产生局部电压为所述基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电；

所述基准电流源启动模块用于在上电时启动所述基准电流源模块，并在所述基准电流源模块正常工作后退出；

所述基准电流源模块用于产生内部基准电流；

所述带隙基准核心启动模块用于在上电时启动所述带隙基准核心模块，并在所述带隙基准核心模块正常工作后退出；

其特征在于，所述带隙基准核心模块包括跨导运算放大器、第四三极管、第五三极管、第六三极管、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第六电容、第七电容、第二十三PMOS管、第二十四PMOS管、第二十五PMOS管、第二十六PMOS管、第二十七PMOS管、第二十八PMOS管、第二十九PMOS管、第三十PMOS管、第三十一PMOS管、第三十二PMOS管、第三十三PMOS管、第三十四PMOS管、第三十五PMOS管、第三十六PMOS管、第三十七PMOS管、第十八NMOS管和第十九NMOS管，其中第二十三PMOS管、第二十四PMOS管、第二十五PMOS管、第二十六PMOS管、第二十七PMOS管、第二十八PMOS管、第二十九PMOS管、第三十PMOS管、第三十一PMOS管、第三十二PMOS管、第三十三PMOS管、第三十四PMOS管、第三十五PMOS管、第三十六PMOS管和第三十七PMOS管的衬底连接电源电压；