[发明专利]一种可调谐光吸收器在审
| 申请号： | 201910700969.2 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110426764A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 谭永胜;李秀东 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02F1/00;H01Q17/00 |
| 代理公司： | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 | 代理人： | 焦亚如 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光吸收器 二氧化硅介质 金属银薄膜 可调谐 下层 薄膜 上层 锑化铟薄膜 基体表面 实时动态 吸收波长 沉积 | ||
【权利要求书】：
1.一种可调谐光吸收器，其特征在于，包括基体，所述基体表面依次沉积有下层金属银薄膜、下层二氧化硅介质薄膜、n型锑化铟薄膜、上层二氧化硅介质薄膜及上层金属银薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种可调谐光吸收器，其特征在于，所述基体材料为硅材料。
3.根据权利要求1所述的一种可调谐光吸收器，其特征在于，所述下层金属银薄膜的厚度为50纳米～300纳米。
4.根据权利要求1所述的一种可调谐光吸收器，其特征在于，所述下层二氧化硅介质薄膜的厚度为1纳米～20纳米。
5.根据权利要求1所述的一种可调谐光吸收器，其特征在于，所述n型锑化铟薄膜的厚度为1纳米～50纳米。
6.根据权利要求1所述的一种可调谐光吸收器，其特征在于，所述n型锑化铟薄膜的掺杂浓度小于5×1017/cm3。
7.根据权利要求1所述的一种可调谐光吸收器，其特征在于，所述上层二氧化硅介质薄膜的厚度为10纳米～200纳米。
8.根据权利要求1所述的一种可调谐光吸收器，其特征在于，所述上层金属银薄膜的厚度为10纳米～100纳米。
9.根据权利要求1所述的一种可调谐光吸收器，其特征在于，所述下层二氧化硅介质薄膜刻蚀有凹槽，n型锑化铟薄膜沉积在下层二氧化硅介质薄膜上。
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