[发明专利]适用于可见光波段全透射零相位延迟隐身超表面结构

权利要求书

1.一种适用于可见光波段全透射零相位延迟隐身超表面结构，其特征在于，包括基底(100)和亚波长单元(200)；

所述亚波长单元(200)间隔排列在基底(100)上；

亚波长单元(200)的数量为多个；

亚波长单元(200)为纳米级条状散射体；

所述的亚波长单元(200)在s偏振入射光和p偏振入射光下的不同波段分别能够观察到零前向散射和零后向散射特性的条件为：

表示的相位，是根据适用于任意截面的多极子展开方法计算得到的散射系数，θ为散射角，范围0-2π，m是电磁模态的阶数，m＝0,±1,±2；

其中，微分散射截面在前向(θ＝0)和后向(θ＝π)均为0，

将所述亚波长单元(200)间隔排列在基底(100)上能够实现全透射零相位延迟隐身超表面设计。

2.根据权利要求1所述的适用于可见光波段全透射零相位延迟隐身超表面结构，其特征在于，亚波长单元(200)的横截面为矩形，矩形的长、宽分别为340nm、250nm；

亚波长单元(200)纵向长度为8μm；

所述基底(100)的厚度为1μm。

3.根据权利要求1所述的适用于可见光波段全透射零相位延迟隐身超表面结构，其特征在于，亚波长单元(200)材料为单晶硅(c-Si)，相邻两个亚波长单元(200)同侧间隔为400nm。

4.根据权利要求1所述的适用于可见光波段全透射零相位延迟隐身超表面结构，其特征在于，所述基底(100)的材料采用氧化硅。

5.根据权利要求1所述的适用于可见光波段全透射零相位延迟隐身超表面结构，其特征在于，对于s偏振入射光，在波长为0.867μm时亚波长单元(200)前向散射、后向散射同时为0；

对于p偏振入射光，在波长为0.781μm时亚波长单元(200)前相散射、后相散射同时为0。

6.根据权利要求1所述的适用于可见光波段全透射零相位延迟隐身超表面结构，其特征在于，所述亚波长单元(200)的横截面为矩形；

矩形的长、宽分别为400nm、250nm；

亚波长单元(200)纵向长度为8μm，基底(100)的厚度为1μm；

对于s偏振入射光和p偏振入射光分别入射亚波长单元(200)，都能够同时在波长为0.88μm时获得近零前向散射和近零后向散射。

7.根据权利要求1所述的适用于可见光波段全透射零相位延迟隐身超表面结构，其特征在于，对于s偏振入射光，在波长0.87μm时，亚波长单元(200)透射效率为0.87，反射效率为0.11，透射相位为0，能够实现高透射零相位延迟功能；

对于p偏振入射光，在波长0.68μm时，亚波长单元(200)透射效率为0.69，反射效率为0，透射相位为0，能够实现全透射零相位延迟功能。