[发明专利]一种基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片及其制备方法

说明书

本发明属于无线充电组件技术领域，尤其涉及一种基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片，包括非晶或纳米晶带材，所述非晶或纳米晶带材的一面设置有氧化层，所述非晶或纳米晶带材的另一面依次设置有绝缘导热胶层、第一氧化石墨烯层、人造石墨薄膜层、第二氧化石墨烯层和保护膜层；所述非晶或纳米晶带材具有鳞片状结构，所述鳞片状结构之间存在间隙，所述间隙中填充有所述绝缘导热胶层。相比于现有技术，本发明的磁性薄片厚度小，散热性能好，涡流损耗低，磁导率精确可控。另外，本发明还涉及一种基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片的制备方法，操作简单且成本较低，适合于批量生产。

技术领域

本发明属于无线充电组件技术领域，尤其涉及一种基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片及其制备方法。

背景技术

对于消费类电子产品而言，无线充电具有操作方便、通用性强等优势。无线充电技术也称非接触式充电，通过在发射端和接收端两侧分别设置的线圈，利用其产生的电池感应或频率共振的方式来实现无线充电。其中，接收端线圈附近通常有电池等金属部件，通过电池感应进行无线充电时，会在金属部件上形成涡流。为了屏蔽这些干扰，通常需要在接收端线圈的背面贴上磁性薄片。

目前，可以利用的磁性薄片的磁性材料主要有软磁铁氧体和非晶和纳米晶带材。专利CN104011814A公开了一种磁场屏蔽片，其使用非晶和纳米晶带材和粘结层叠层。这种叠层中的非晶和纳米晶材料被机械力或者其他途径破碎为中间有微小间隙的金属细片，这些细片和间隙的大小由机械力的大小等工艺条件决定，呈现出尺寸随机分布的状况。然而，磁性片的磁导率对细片间隙的大小十分敏感，这种方法并不能很好的控制细片的间隙，也就不能很好的控制磁性片的磁导率范围，且生产效率很低。除此之外，在使用过程中，磁性薄片在磁场中容易产生涡流发热，若导热及散热性能差则会影响磁性薄片的正常使用。

发明内容

本发明的目的之一在于：针对现有技术的不足，而提供一种基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片，厚度小，散热性能好，涡流损耗低，磁导率精确可控。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片，包括非晶或纳米晶带材，所述非晶或纳米晶带材的一面设置有氧化层，所述非晶或纳米晶带材的另一面依次设置有绝缘导热胶层、第一氧化石墨烯层、人造石墨薄膜层、第二氧化石墨烯层和保护膜层；所述非晶或纳米晶带材具有鳞片状结构，所述鳞片状结构之间存在间隙，所述间隙中填充有所述绝缘导热胶层。

作为本发明所述的基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片的一种改进，所述氧化层包括粘结剂和氧化物，所述氧化物为氧化铁、氧化亚铁、四氧化三铁中的至少一种，所述粘结剂为聚四氟乙烯和/或聚偏氟乙烯。

作为本发明所述的基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片的一种改进，所述绝缘导热胶层包括聚四氟乙烯、丙烯酸羟乙酯、导热填料、铁的磷酸氢盐和去离子水。

作为本发明所述的基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片的一种改进，所述氧化层的厚度为2～20μm。

作为本发明所述的基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片的一种改进，填充于所述间隙中的绝缘导热胶层厚度为0.01～1μm，设置于所述非晶或纳米晶带材表面的所述绝缘导热胶层的厚度为3～20μm。

作为本发明所述的基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片的一种改进，所述人造石墨薄膜层的厚度为12～50μm。

作为本发明所述的基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片的一种改进，所述第一氧化石墨烯层和所述第二氧化石墨烯层的厚度均为5～20μm。

作为本发明所述的基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片的一种改进，所述保护膜层为单面背胶的PET绝缘膜。

作为本发明所述的基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片的一种改进，所述保护膜层的厚度为10～100μm。