[发明专利]一种基于MOS的同步整流电路及其整流方法

说明书

本发明公开了一种基于MOS的同步整流电路，包括MOS Drain端电路、电压侦测电路和副边电路，所述电压侦测电路包括：与VS端串联的vdet(电压检验器)；所述电压侦测电路还包括Mux(多路选择器)和Timer Record(计时器)，所述Mux输入端与所述vdet输出端连接，所述Mux输出端与所述Buf推力加強电路输入端连接，所述Timer Record与所述Mux并联。本发明通过对副边电流停止输出时间的预测，避免因控制的时间延迟造成Drain端的突波。增设的Mux为多路选择器，当Timer Record资料还没建立完成时，通过Mux电压侦测电路自行选择有CMP的路径A；当Timer Record资料建立完成后，通过Mux电压侦测电路自行选择有Timer Record的路径B。

技术领域

本发明涉及电路整流控制技术，具体地，涉及一种基于MOS的同步整流电路及其整流方法。

背景技术

突波的产生即电子设备瞬间加入负载，产生瞬间的高压，对电子设备具有极大的潜在危险，轻则造成信息丢失或电子零件寿命隐性伤害，严重则造成设备的损坏或产生更严重的后果。目前，同步整流藉由侦测整流MOS管的D drain端电压来控制整流MOS的开或关。但由于侦测到控制有时间延迟，此时间延迟造成输出电流的逆流进而造成整流MOSDrain端的突波。本发明另用预测控制的方式减少侦测到控制的时间延迟，解决突波的产生。同步整流电路的副边电流停止输出时，整流MOS的Drain端电压会由负压变为正压。此时电压侦测电路会送出控制讯号关掉整流MOS。由于控制的时间延迟，副边电流在停止输出后会成生电流回流。此回流电流在关掉整流MOS时会造成整流MOS Drain端的突波，伤害整流MOS。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种基于MOS的同步整流电路及其整流方法。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种基于MOS的同步整流电路，包括MOS Drain端电路、电压侦测电路和副边电路，所述电压侦测电路包括：与VS端串联的vdet(电压检验器)；

所述电压侦测电路还包括Mux(多路选择器)和Timer Record(计时器)，所述Mux输入端与所述vdet输出端连接，所述Mux输出端与所述Buf推力加強电路输入端连接，所述Timer Record与所述Mux并联。

一种基于MOS的同步整流电路的整流方法，包括以下步骤：

S10：连接电压侦测电路，副边电流停止输出；

S20：通过Timer Record预测副边电流停止输出时间；

S30：所述Timer Record资料未建立完成时，通过Mux选择有CMP的路径A；所述Timer Record资料建立完成时，通过Mux选择有Timer Record的路径B；

S40：Buf推力加強电路送出控制讯号关闭MOS Drain端。

与现有技术相比的有益效果：

本发明的一种感温型荧光式相序标识器，相较于传统同步整流电路具有以下显著优点：

本发明通过对副边电流停止输出时间的预测，避免因控制的时间延迟造成Drain端的突波。增设的Mux为多路选择器，当Timer Record资料还没建立完成时，通过Mux电压侦测电路自行选择有CMP的路径A；当Timer Record资料建立完成后，通过Mux电压侦测电路自行选择有Timer Record的路径B，通过以上方法，无论是Timer Record侦测的时间长短，均可避免Drain端突波的产生。本技术方案提供的电压侦测电路功能完备，结构简单，造价低廉，使用寿命长，具有广阔的应用前景。

为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特性和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细描述。