[发明专利]访问电子设备中的混合缓存的方法及装置

说明书

本申请公开了一种访问电子设备中的混合缓存的方法及装置，属于计算机存储技术领域。该方法包括：接收针对待访问数据的读指令。当在索引表中查找到待访问数据的逻辑地址时，则从索引表中获取待访问数据的状态信息，进而读取待访问数据。状态信息用于指示数据存储在易失性缓存中还是非易失性缓存中。也即是，本申请为混合缓存统一设置一个索引表，索引表中记录了混合缓存中所存储的数据的逻辑地址，并指示每个逻辑地址对应的数据是存储在DRAM中还是PCM中，这样在混合缓存中读取数据时，不管该数据存储在混合缓存的DRAM中还是PCM中，均仅需查找一次索引表即可确定该数据存储在哪种缓存中，从而提高了访问混合缓存中的数据的效率。

技术领域

本申请涉及计算机存储技术领域，特别涉及一种访问电子设备中的混合缓存的方法及装置。

背景技术

随着大数据时代的到来，一种基于动态随机存储器(dynamic random accessmemory，DRAM)和相变存储器(phase change memory，PCM)的混合缓存逐渐受到人们的青睐。其中，相对于DRAM，PCM具有非易失性、低功耗和存储密度大等优势。但是相对于PCM，DRAM在写延迟上有一定优势，因此基于DRAM和PCM的混合缓存可以同时兼具两者的优点。由于混合缓存中包括两种不同类型的存储介质，因此，亟需研究一种访问混合缓存的方法。

相关技术中，为DRAM和PCM分别设置各自所存储数据的索引表。当处理器访问某个数据时，先根据DRAM的索引表确定DRAM中是否存储有这个数据。如果DRAM中未存储这个数据，则根据PCM的索引表确定PCM中是否存储有这个数据。如果PCM中存储这个数据，则从PCM中获取这个数据。基于上述描述，当需要在混合缓存中访问数据时，可能需要对DRAM和PCM对应的索引表分别进行查询，从而影响访问混合缓存的速度。

发明内容

本申请提供了一种访问电子设备中的混合缓存的方法及装置，可以提高访问混合缓存的速度。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种访问电子设备中的混合缓存的方法，该方法应用于电子设备，混合缓存包括易失性缓存和非易失性缓存。该方法包括：接收针对待访问数据的读指令，读指令中携带待访问数据的逻辑地址；在索引表中查找逻辑地址，索引表中存储有混合缓存中所存储数据的逻辑地址对应的状态信息，状态信息用于指示混合缓存中所存储数据是存储在易失性缓存中还是非易失性缓存中；当在索引表中查找到待访问数据的逻辑地址时，则从索引表中获取待访问数据的状态信息；根据待访问数据的状态信息从非易失性缓存或者易失性缓存中读取待访问数据。

当采用两级混合缓存时，如果DRAM和PCM分别设置各自的索引表，需要先查找DRAM的索引表，当所读取的数据不在DRAM的索引表中时，还需要查找PCM的索引表。这样，如果所读取的数据不在DRAM中时，还需要执行一次查找PCM索引表的过程，这将增加数据读取的时延。因此，在本申请实施例中，可以为混合缓存统一设置一个索引，该索引表中记录了混合缓存中所存储的数据的逻辑地址，并指示每个逻辑地址对应的数据是存储在DRAM中还是PCM中，这样在混合缓存中读取数据时，不管该数据存储在混合缓存的DRAM中还是PCM中，均仅需查找一次索引表即可确定该数据存储在哪种缓存中，从而提高了访问混合缓存中的数据的效率。

可选地，索引表中的每个逻辑地址对应有存储每个逻辑地址对应的数据的物理地址；相应地，该方法还包括：在从索引表中获取待访问数据的状态信息时，还获取待访问数据的物理地址。相应地，根据待访问数据的状态信息从非易失性缓存或者易失性缓存中读取待访问数据包括：根据待访问数据的状态信息及待访问数据的物理地址从非易失性缓存或者易失性缓存中读取待访问数据。

在本申请实施例中，索引表中的每个逻辑地址对应有存储每个逻辑地址对应的数据的物理地址，如此，在确定待访问数据的状态信息时还可以获取待访问数据的物理地址，进而根据状态信息和物理地址直接读取待访问数据，进一步提高了访问混合缓存中的数据的效率。