[发明专利]一种提高BiVO4

权利要求书

1.一种提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法，其特征在于：按照以下步骤：

清洗基材后干燥——基材置于沉积室，然后在基材表面采用直流磁控溅射法沉积钒酸铋薄膜，沉积5～60min后得光催化薄膜——光催化薄膜在300-500^oC热处理2h，升温速度为1-20^oC/min——光催化薄膜送入刻蚀室，采用直流等离子法刻蚀光催化薄膜，刻蚀5-30min后即得优化的钒酸铋薄膜；所述沉积室本底真空度小于10^-4Pa，直流磁控溅射法条件具体如下：溅射气体为氩气和氧气，总压强为0.5～2.5 Pa，氧分压为0～10 %，靶材与基材的距离为7～20 cm，初始基底温度为15℃-35℃，施加于所述靶材上的直流电源的功率为 50～500W；

或

清洗基材后干燥——基材置于刻蚀室，然后采用直流等离子法刻蚀基材——基材置于沉积室，然后在基材表面采用直流磁控溅射法沉积钒酸铋薄膜，沉积5～60min后得光催化薄膜——光催化薄膜在300-500^oC热处理2h，升温速度为1-20^oC/min，热处理后降至室温即得优化的钒酸铋薄膜；所述刻蚀室本底真空度小于5Pa，直流等离子法条件具体如下：刻蚀气氛Ar或者Ar/H₂混合气体，气体流速为50-100 sccm，气体压力为5-20 Pa，设备电极与基材的距离为7～20 cm，初始基底温度为 15～35 ℃，刻蚀功率为5-200 W。

2.根据权利要求1所述的一种提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法，其特征在于：所述清洗基材的方法是依次用丙酮和无水乙醇各超声清洗30min；所述干燥方法为压缩空气吹干。

3.根据权利要求1所述的一种提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法，其特征在于：所述靶材为钒酸铋陶瓷靶材。

4.根据权利要求1所述的一种提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法，其特征在于：所述Ar/H₂混合气体中H₂含量小于3%。

5.根据权利要求1所述的一种提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法，其特征在于：所述优化的钒酸铋薄膜厚度为50 ～ 500 nm。

6.根据权利要求1所述的一种提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法，其特征在于：所述基材为FTO、ITO、AZO或ATO透明导电电极。