[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910608310.4 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110875427A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 成东俊;白晙焕;郑炯钟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
第一电极；
第一碳层，所述第一碳层位于所述第一电极上；
开关层，所述开关层位于所述第一碳层上；
第二碳层，所述第二碳层位于所述开关层上；
至少一个隧穿氧化物层，所述至少一个隧穿氧化物层位于所述第一碳层与所述第二碳层之间；以及
第二电极，所述第二电极位于所述第二碳层上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个隧穿氧化物层被设置在所述开关层与所述第一碳层之间或所述开关层与所述第二碳层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个隧穿氧化物层包括位于所述开关层与所述第一碳层之间的第一隧穿氧化物层以及位于所述开关层与所述第二碳层之间的第二隧穿氧化物层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个隧穿氧化物层中的每个隧穿氧化物层的厚度为5至
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个隧穿氧化物层包括SiO2、AlOx、TiOx、TaOx和HfOx中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个隧穿氧化物层中的每个隧穿氧化物层的带隙等于或大于5eV。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述开关层是双向阈值开关。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述开关层是二极管。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述第一电极下面的相变材料层。
10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
第一电极；
相变层，所述相变层位于所述第一电极上；
第二电极，所述第二电极位于所述相变层上；
第一碳层，所述第一碳层位于所述第二电极上；
双向阈值开关层，所述双向阈值开关层位于所述第一碳层上；
第二碳层，所述第二碳层位于所述双向阈值开关层上；
第三电极，所述第三电极位于所述第二碳层上；以及
至少一个隧穿氧化物层，所述至少一个隧穿氧化物层被设置在所述第一碳层与所述第二碳层之间。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述至少一个隧穿氧化物层包括位于所述第一碳层与所述双向阈值开关层之间的隧穿氧化物层和位于所述第二碳层与所述双向阈值开关层之间的隧穿氧化物层中的至少一者。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括模制层，所述模制层围绕所述第一电极、所述相变层、所述第二电极、所述第一碳层、所述双向阈值开关层、所述第二碳层、所述第三电极以及所述至少一个隧穿氧化物层。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述模制层相对于所述至少一个隧穿氧化物层具有蚀刻选择性。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述至少一个隧穿氧化物层包括SiO2、AlOx、TiOx、TaOx和HfOx中的至少一种。
15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述模制层包括SiN、SiON、SiCN和SiBN中的至少一种。
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