[发明专利]一种CMOS数据清除电路及计算机设备有效
申请号: | 201910566363.4 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110262647B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 张雷;王文章;吴志宏;姜建平 | 申请(专利权)人: | 无锡睿勤科技有限公司 |
主分类号: | G06F1/24 | 分类号: | G06F1/24 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 数据 清除 电路 计算机 设备 | ||
1.一种CMOS数据清除电路,其特征在于,包括:
复位信号输出电路、第一延时模块、第二延时模块、嵌入式控制器、CMOS数据清除模块;
所述复位信号输出电路用于输出复位信号至所述第一延时模块;
所述第一延时模块包括第一开关、第一电阻、第二电阻、第一电容;
所述第一开关的第一端与所述复位信号输出电路连接,所述第一开关的第二端与第一电阻连接,所述第一开关的第三端接地;
所述第二电阻的一端与第一电源连接,所述第二电阻的另一端与第一节点连接,所述第一节点为所述第一电阻与所述第一电容之间的节点;
所述第一电容的一端与所述第一节点连接,所述第一电容的另一端接地;
所述第一节点分别与所述嵌入式控制器和所述第二延时模块连接;
所述第一延时模块用于接收到所述复位信号并延时第一预设时长后,发送重启信号至所述嵌入式控制器和所述第二延时模块,所述第一预设时长是根据所述第二电阻和所述第一电容确定的;
所述第二延时模块包括第二开关、第三电阻、第四电阻、第二电容;
所述第二开关的第一端与所述第一延时模块连接,所述第二开关的第二端与第三电阻连接,所述第二开关的第三端接地;
所述第四电阻的一端与第二电源连接,所述第四电阻的另一端与第二节点连接,所述第二节点为所述第三电阻与所述第二电容之间的节点;
所述第二电容的一端与所述第二节点连接,所述第二电容的另一端接地;
所述第二节点与所述CMOS数据清除模块连接;
所述第二延时模块用于接收到所述重启信号并延时第二预设时长后,发送清除信号至所述CMOS数据清除模块,所述第二预设时长是根据所述第四电阻和所述第二电容确定的;
所述CMOS数据清除模块用于在接收到所述清除信号时清除CMOS芯片中的数据。
2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述复位信号输出电路包括复位键;
在所述复位键闭合时,所述复位信号输出电路输出复位信号,所述复位信号为低电平。
3.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第二延时模块还包括第三电容;
所述第三电容的一端与所述第二开关的第一端连接,所述第三电容的另一端接地。
4.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一开关为第一MOS型场效应管,所述第一MOS型场效应管的栅极与所述复位信号输出电路连接,所述第一MOS型场效应管的漏极与第一电阻连接,所述第一MOS型场效应管的源极接地;
所述第二开关为第二MOS型场效应管,所述第二MOS型场效应管的栅极与所述第一延时模块连接,所述第二MOS型场效应管的漏极与第三电阻连接,所述第二MOS型场效应管的源极接地。
5.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述CMOS数据清除模块包括第三开关;
所述第三开关的第一端与所述第二延时模块连接,所述第三开关的第二端与CMOS芯片连接,所述第三开关的第三端接地。
6.如权利要求5所述的电路,其特征在于,所述第三开关为第三MOS型场效应管,所述第三MOS型场效应管的栅极与所述第二延时模块连接,所述第三MOS型场效应管的漏极与CMOS芯片连接,所述第三MOS型场效应管的源极接地。
7.一种计算机设备,其特征在于,包括:权利要求1-6任一所述的CMOS数据清除电路。
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