[发明专利]非制冷红外焦平面探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种非制冷红外焦平面探测器，其特征在于，包括基底及设置在所述基底上的红外传感像元，所述红外传感像元包括悬空于所述基底上方的微桥，所述微桥至少包括依次设置的热应变层、支撑层及热敏层，所述热应变层受热发生形变，带动所述热敏层发生形变，以减小所述热敏层的电阻，且所述热敏层的热敏电阻受热减小。

2.根据权利要求1所述的非制冷红外焦平面探测器，其特征在于，所述热应变层的热膨胀系数与所述支撑层的热膨胀系数不同。

3.根据权利要求2所述的非制冷红外焦平面探测器，其特征在于，所述热应变层的热膨胀系数大于所述支撑层的热膨胀系数。

4.根据权利要求3所述的非制冷红外焦平面探测器，其特征在于，所述热应变层为金属铝层。

5.根据权利要求1所述的非制冷红外焦平面探测器，其特征在于，所述热敏层在所述基底表面的投影位于所述热应变层在所述基底表面的投影区域内。

6.根据权利要求1所述的非制冷红外焦平面探测器，其特征在于，所述支撑层的两端朝向所述基底延伸并与所述基底连接，以支撑所述微桥。

7.根据权利要求6所述的非制冷红外焦平面探测器，其特征在于，所述红外传感像元还包括：

电极层，设置在所述支撑层上，并与所述基底及所述热敏层电连接；

释放保护层，覆盖所述电极层、所述热敏层及所述基底；

反射层，设置在所述基底上，且位于所述微桥下方。

8.一种如权利要求1～7任意一项所述的非制冷红外焦平面探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述基底；

在所述牺牲层上形成图形化的热应变层；

图形化所述牺牲层，形成通孔，所述基底的电连接处被暴露；

形成图形化的支撑层，所述支撑层覆盖所述牺牲层及所述热应变层；

在所述支撑层上形成图形化的热敏层，所述热敏层对应所述热应变层；

形成图形化的电极层，所述电极层覆盖所述支撑层、所述基底的电连接处及部分所述热敏层，所述电极层将所述热敏层与所述基底的电连接处电连接；

释放所述牺牲层，形成悬空于所述基底上方的微桥，所述微桥包括依次设置的热应变层、支撑层及热敏层，所述热应变层受热发生形变，并带动所述热敏层发生形变，以减小所述热敏层的电阻。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在形成所述牺牲层的步骤之前，所述制备方法还包括如下步骤：在基底上形成图形化的金属层，所述金属层包括连接块及反射块，所述连接块与所述基底电连接，所述反射块与所述微桥对应，在形成图形化的电极层的步骤中，所述电极层与所述连接块连接。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在释放所述牺牲层的步骤之前，还包括一形成释放保护层的步骤，所述释放保护层覆盖所述支撑层、所述电极层及所述热敏层。