[发明专利]应用于C型通用串行总线连接器的过电压保护电路

权利要求书

1.一种用于C型通用串行总线连接器的过电压保护电路，其中所述C型通用串行总线的接口具有至少一个输入信号引脚，所述过电压保护电路，其特征在于，包括：

控制电路，根据偏压信号来产生控制信号；

电位偏移电路，电性连接所述至少一个输入信号引脚与所述控制电路，且接收来自所述至少一个输入信号引脚的输入信号与所述控制信号，并根据所述控制信号调节所述输入信号的电压水平；以及

系统箝制电路，电性连接所述电位偏移电路，且接收调节过的所述输入信号与所述控制信号，并将调节过的所述输入信号与所述控制信号的电压水平箝制于阈值以下。

2.根据权利要求1所述的过电压保护电路，其特征在于，所述控制电路包含：

电荷泵，耦接所述电位偏移电路，接收所述偏压信号并根据所述偏压信号输出所述控制信号。

3.根据权利要求1所述的过电压保护电路，其特征在于，所述电位偏移电路包含：

至少一个NMOS晶体管对，其中每一个NMOS晶体管对分别具有第一NMOS晶体管与第二NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管具有第一栅极端、第一漏极端及第一源极端，所述第二NMOS晶体管具有第二栅极端、第二漏极端及第二源极端，所述第一栅极端与所述第二栅极端耦接于所述控制电路，以接收所述控制信号；所述第一漏极端电性连接于所述至少一个输入信号引脚中对应所述输入信号的输入信号引脚，以接收所述输入信号；所述第一源极端串接于所述第二源极端；所述第二漏极端电性连接于所述系统箝制电路。

4.根据权利要求1所述的过电压保护电路，其特征在于，所述电位偏移电路包含：

至少一个NMOS晶体管，其中每一个NMOS晶体管分别具有栅极端、漏极端及源极端，所述栅极端耦接所述控制电路，以接收所述控制信号；所述漏极端电性连接所述至少一个输入信号引脚中对应所述输入信号的输入信号引脚，以接收所述输入信号；所述源极端电性连接所述系统箝制电路。

5.根据权利要求4所述的过电压保护电路，其特征在于，所述系统箝制电路包括：

第一齐纳二极管，具有阳极与阴极，所述第一齐纳二极管的阳极接地；

至少一个第一二极管，其中每一个第一二极管分别具有阳极与阴极，所述至少一个第一二极管的阳极电性连结所述至少一个NMOS晶体管的源极端，且所述至少一个第一二极管的阴极电性链接所述第一齐纳二极管的阴极；以及

第二二极管，具有阳极与阴极，所述第二二极管的阳极电性连结所述控制电路，且所述第二二极管的阴极电性链接所述第一齐纳二极管的阴极。

6.根据权利要求5所述的过电压保护电路，其特征在于，所述系统箝制电路包括：

第二齐纳二极管，具有阳极与阴极，所述第二齐纳二极管的阴极电性连接所述第二二极管的阴极，所述第二齐纳二极管的阳极经由电容电性连接于地，其中所述第一齐纳二极管与所述第二齐纳二极管具有不同的逆向崩溃电压值。