[发明专利]一种纳米级键合型荧光防伪纤维的制备方法

说明书

本发明涉及荧光型防伪纤维，具体为一种纳米级键合型荧光防伪纤维的制备方法。包括如下步骤：（1）制备稀土配合物Eu(C₈H₅F₃O₂S)₂(C₁₂H₈N₂)(C₇H₁₀O₃)；（2）制备键合型高分子荧光材料Eu‑PVA；（3）静电纺丝制备键合型荧光防伪纤维。本发明所制备的键合型高分子基荧光纳米纤维是无规则随机排列的，纤维的直径分布比较均匀，纤维的表面比较光滑，其直径约为150~250 nm；键合型荧光纤维热稳定温度可达到290.2℃；含有稀土配合物的键合型荧光纳米纤维的最佳激发波长为396 nm，最佳发射波长为612 nm。

技术领域

本发明涉及荧光型防伪纤维，具体为一种纳米级键合型荧光防伪纤维的制备方法。

背景技术

近些年，随着经济和科技的高速发展，假冒伪造产品层出不穷。为了应对伪造技术不断更新的挑战，就需要不断开发新型的防伪技术或对现有的防伪技术进行安全升级。荧光防伪纤维因隐蔽好、易辨别的优点而广泛应用于钞票、有价证券、证件防伪等领域。高分子基稀土发光材料因兼具稀土离子独特的发光性能与高分子优异的加工成型性能，在发光显示、防伪及太阳能转换等领域具有广泛的应用前景。但目前制备的稀土高分子基荧光防伪纤维多为掺杂型荧光纤维，存在发光单元分布不均、相分离等缺点，使得荧光防伪材料的荧光性能降低甚至消失。而键合型高分子基稀土荧光材料因材料内部稀土离子分布均匀、在稀土离子含量较高时仍不会出现浓度猝灭效应以及高荧光效率而备受关注。利用静电纺丝技术开发荧光防伪纤维，将纳米纤维的小尺寸效应，表面效应等纳米级特性与键合型稀土高分子基荧光材料优良的发光性能结合起来，不仅能开辟新的应用领域，更是对荧光防伪纤维的安全升级具有积极的推进作用。

发明内容

本发明的目的是针对背景技术的状况，以氯化铕、1,10-邻菲啰啉、α-噻吩甲酰三氟丙酮和甲基丙烯酸制备稀土配合物Eu(TTA)₂(Phen)MAA；以Eu(TTA)₂(Phen)MAA为稀土配合物，醋酸乙烯酯为聚合物单体，采用自由基聚合法制备高分子共聚物Eu-PVAc，然后将高分子共聚物Eu-PVAc进行醇解，制备得到键合型稀土高分子荧光材料Eu-PVA；利用静电纺丝技术将键合型稀土高分子荧光材料Eu-PVA制备得到键合型荧光防伪纤维，提高荧光防伪纤维的荧光性能。

本发明是采用如下技术方案实现的：一种纳米级键合型荧光防伪纤维的制备方法，包括如下步骤：（1）制备稀土配合物Eu(C₈H₅F₃O₂S)₂(C₁₂H₈N₂)(C₇H₁₀O₃)

①称量并溶解药品

分别称取氯化铕、1,10-邻菲啰啉、α-噻吩甲酰三氟丙酮、氢氧化钠为0.258 g ±0.001g、0.198 g ± 0.001g、0.444 g ± 0.001g、0.040 g± 0.001g；

将称取的药品分别置于烧杯中，加入无水乙醇使药品溶解；

②稀土配合物Eu(C₈H₅F₃O₂S)₂(C₁₂H₈N₂)(C₇H₁₀O₃)的合成