[发明专利]一种CMOS图像传感器及图像处理方法、存储介质有效
申请号: | 201910501193.1 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN110336964B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 杨鑫 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/378 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 侯艳华;张颖玲 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 图像 处理 方法 存储 介质 | ||
1.一种CMOS图像传感器,其特征在于,所述CMOS图像传感器包括:
多个光电二极管PD柱,用于分别吸收多个预设波段的光信号,并将所述多个预设波段的光信号转换成多个电信号,所述多个预设波段的光信号和所述多个电信号一一对应;其中,所述PD柱对应的三种尺寸分别是基于RGB单色光的共振波长和所述光信号的折射率确定;
与所述多个光电二极管PD柱连接的CMOS像素读出电路,用于按照预设读出顺序,依次累加读出所述多个电信号;
与所述CMOS像素读出电路连接的图像处理电路,用于按照预设组合方式,对所述多个电信号进行组合,输出所述预设组合方式对应的预设色彩的未经加工RAW图像。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述多个光电二极管PD柱包括:RGB单色光对应的预设尺寸的PD柱和/或组合PD柱,所述组合PD柱由至少两种所述预设尺寸的PD柱组成。
3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器,其特征在于,
所述PD柱,用于吸收第一预设波段的光信号,所述第一预设波段为所述多个预设波段中RGB单色光对应的波段;
所述组合PD柱,用于利用至少两种所述预设尺寸的PD柱共同吸收第二预设波段的光信号,所述第二预设波段为所述多个预设波段中RGB组合光对应的波段。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述CMOS像素读出电路包括:分别与所述多个光电二极管PD柱连接的多个转移晶体管、与所述多个转移晶体管连接的读出区和与所述读出区连接的选通管;
所述选通管,用于按照预设读出顺序,依次叠加选通所述多个转移晶体管;
所述多个转移晶体管,用于在所述选通管选通时,将对应的所述多个电信号转移至所述读出区。
5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述CMOS像素读出电路还包括:与所述读出区和所述选通管连接的放大晶体管;所述选通管还与所述图像处理电路连接;
所述放大晶体管,用于将所述读出区读出的所述多个电信号进行放大;
所述选通管,还用于将所述放大的所述多个电信号传输至所述图像处理电路。
6.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述多个光电二极管PD柱包括:第一PD柱、第二PD柱和第三PD柱;
所述第一PD柱,用于吸收第一RGB单色光的第一光信号,并将所述第一光信号转换成第一电信号;
所述第二PD柱,用于吸收第二RGB单色光的第二光信号,RGB两色光包括所述第一RGB单色光,并将所述第二光信号转换成第二电信号;
所述第三PD柱,用于吸收第三RGB单色光的第三光信号,并将所述第三光信号转换成第三电信号。
7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器,其特征在于,
所述CMOS像素读出电路,还用于选通所述第一PD柱对应的第一转移晶体管,读出所述第一电信号;累加选通所述第二PD柱对应的第二转移晶体管,读出第一组合电信号,所述第一组合电信号由所述第一电信号加所述第二电信号得到;累加选通所述第三PD柱对应的第三转移晶体管,读出第二组合电信号,所述第二组合电信号由所述第一电信号加所述第二电信号加所述第三电信号得到;
所述图像处理电路,还用于利用所述第二组合电信号,得到黑白RAW图像;利用所述第一电信号、所述第一组合电信号和所述第二组合电信号,分别得到RGB三通道的电信号,并利用所述RGB三通道的电信号得到彩色RAW图像,所述黑白RAW图像和所述彩色RAW图像组成所述预设色彩的RAW图像。
8.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述PD柱的形状至少包括长方形、圆形、平行四边形和菱形。
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