[发明专利]突起结构内侧设置空隙结构的谐振器及电子设备在审

专利信息
申请号: 201910470204.4 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN111010140A 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 张孟伦;庞慰;杨清瑞 申请(专利权)人: 天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司
主分类号: H03H9/54 分类号: H03H9/54;H03H9/205;H03H9/02
代理公司: 北京金诚同达律师事务所 11651 代理人: 汤雄军
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 突起 结构 内侧 设置 空隙 谐振器 电子设备
【权利要求书】:

1.一种体声波谐振器,包括:

基底;

声学镜;

底电极,设置在基底上方;

顶电极,与所述底电极对置,且具有电极连接部;和

压电层,设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间,

其中:

所述顶电极的边缘设置有突起结构以及位于突起结构内侧的形成空隙的空隙结构。

2.根据权利要求1所述的谐振器,其中:

所述谐振器包括形成所述空隙结构的悬翼。

3.根据权利要求2所述的谐振器,其中:

所述悬翼包括单悬翼结构。

4.根据权利要求3所述的谐振器,其中:

所述单悬翼结构具有基础层部和悬翼部,所述基础层部位于所述顶电极;

悬翼部形成的至少一部分空隙位于所述基础层部与所述突起结构之间。

5.根据权利要求4所述的谐振器,其中:

所述突起结构与基础层部的横向距离(D2)在0.5-5μm,可选1-3μm范围内;和/或所述突起结构的外缘与所述悬翼部的外缘之间的横向距离(D1)在0-±5μm,可选0-±3μm范围内;和/或所述突起结构的顶部与所述悬翼部之间的纵向距离(H1)在0-5μm,可选0.5-3μm范围内。

6.根据权利要求4所述的谐振器,其中:

所述悬翼部具有与所述基础层部相连的上升部,所述上升部为阶梯形状。

7.根据权利要求4所述的谐振器,其中:

所述悬翼部与所述突起结构在谐振器的厚度方向上至少部分重合。

8.根据权利要求4所述的谐振器,其中:

所述悬翼部具有与所述基础层部相连的上升部,所述上升部与顶电极的顶面之间形成的角度范围为15-90°,可选40-70°。

9.根据权利要求4所述的谐振器,其中:

所述顶电极的端部形成有另外的悬翼部。

10.根据权利要求3所述的谐振器,其中:

所述单悬翼结构具有基础层部和悬翼部,所述基础层部位于所述顶电极;

所述基础层部位于悬翼部与所述突起结构之间。

11.根据权利要求10所述的谐振器,其中:

所述突起结构与所述基础层部的横向距离(D5)在0-5μm,可选0.5-3μm范围内;和/或所述悬翼部的横向宽度(D7)在0.5-5μm,可选1-3μm范围内;和/或所述突起结构与所述悬翼部之间的横向距离(D6)在1-10μm,可选3-5μm范围内。

12.根据权利要求3所述的谐振器,其中:

所述单悬翼结构具有基础层部和悬翼部,所述基础层部位于所述突起结构的顶部。

13.根据权利要求12所述的谐振器,其中:

所述悬翼部与所述基础层部处于同一水平面;或者所述悬翼部包括与所述基础层部连接的上升部。

14.根据权利要求2所述的谐振器,其中:

所述悬翼包括双悬翼结构,所述双悬翼结构包括基础层部以及分别连接于基础层部两侧的第一单悬翼结构和第二单悬翼结构。

15.根据权利要求14所述的谐振器,其中:

第一单悬翼结构与第二单悬翼结构为非对称布置。

16.根据权利要求14所述的谐振器,其中:

所述基础层部位于所述突起结构的内侧且设置于所述顶电极上。

17.根据权利要求14所述的谐振器,其中:

所述基础层部设置于所述突起结构的顶部。

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