[发明专利]一种激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置及方法

权利要求书

1.一种激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置，其特征在于，包括腔体、若干激光通孔、若干激光挡板、第一流体通孔、第二流体通孔、第一流体阀门、第二流体阀门和若干光发射结构，其中，

所述激光通孔均贯通设置于所述腔体中，且每一个所述激光通孔均有一个所述激光挡板与之对应；

所述第一流体通孔贯通设置于所述腔体中，并通过第一流体阀门控制超临界流体导入所述腔体内；

第二流体通孔贯通设置于所述腔体中，并通过第二流体阀门控制超临界流体从所述腔体内导出；

所述光反射结构均设置于所述腔体的内壁上，用于引导入射激光进行方向变化；

所述腔体为可拆卸式的封闭结构，所述腔体内壁及所述光反射结构均涂覆有反射涂层，用于反射入射的激光。

2.一种激光光刻三维微纳器件超临界流体显影方法，应用于权利要求1任一项中所述的激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置中，其特征在于，所述显影方法包括：

将光敏材料涂覆至衬底材料上，并置于激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置中进行曝光处理；

曝光完成后，向所述激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置中导入超临界流体，对涂覆有所述光敏材料的所述衬底材料进行溶解清洗。

3.根据权利要求2所述的激光直写光刻三维微纳器件超临界流体显影方法，其特征在于，所述光敏材料为液态光敏溶剂，或低聚合度的固态光敏物。

4.根据权利要求2所述的激光直写光刻三维微纳器件超临界流体显影方法，其特征在于，所述超临界流体为CO₂超临界流体。