[发明专利]投影仪有效
申请号: | 201910401091.2 | 申请日: | 2019-05-15 |
公开(公告)号: | CN110501865B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 加濑谷浩康 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G03B21/00 | 分类号: | G03B21/00;G03B21/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李庆泽;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 投影仪 | ||
1.一种投影仪,其具有:
发光装置;以及
光调制装置,其根据图像信息对从所述发光装置出射的光进行调制,
所述发光装置具有:
第1半导体层;
第2半导体层,其导电型与所述第1半导体层不同;
发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间,通过被注入电流而产生光;
第1电极,其与所述第1半导体层电连接;
第2电极,其与所述第2半导体层电连接;以及
第3电极,其与所述第2电极连接,
所述第2电极使所述发光层产生的光透过,
所述第3电极的电阻率低于所述第2电极的电阻率,
所述第3电极具有在第1方向上排列的多个第1导电部,
所述光调制装置具有:
多个像素;以及
相邻的所述像素之间的间隙区域,
多个所述第1导电部的所述第1方向的间距是多个所述间隙区域的所述第1方向的间距的整数倍,
由从所述发光装置出射的光产生的所述第1导电部的影子被投影到所述间隙区域中。
2.根据权利要求1所述的投影仪,其中,
所述第3电极具有在与所述第1方向交叉的第2方向上排列的多个第2导电部,
多个所述第2导电部的所述第2方向的间距是多个所述间隙区域的所述第2方向的间距的整数倍,
由从所述发光装置出射的光产生的所述第2导电部的影子被投影到所述间隙区域中。
3.根据权利要求1或2所述的投影仪,其中,
所述第3电极具有:
多个所述第1导电部的所述第1方向的间距为第1间距的第1部分;以及
多个所述第1导电部的所述第1方向的间距为比所述第1间距小的第2间距的第2部分,
在从所述第1半导体层和所述发光层的层叠方向观察的俯视时,所述第2部分与所述第2电极的中心之间的距离小于所述第1部分与所述第2电极的中心之间的距离。
4.根据权利要求1或2所述的投影仪,其中,
多个所述第1导电部的所述第1方向的间距与多个所述间隙区域的所述第1方向的间距相同。
5.根据权利要求4所述的投影仪,其中,
相邻的所述第1导电部之间的距离小于所述像素的所述第1方向的大小。
6.根据权利要求4所述的投影仪,其中,
所述光调制装置具有将从所述发光装置出射的光引导至所述像素的会聚透镜,
相邻的所述第1导电部之间的距离大于所述像素的所述第1方向的大小。
7.一种投影仪,其具有:
发光装置;
光调制装置,其根据图像信息对从所述发光装置出射的光进行调制;以及
透镜系统,其将从所述发光装置出射的光引导至所述光调制装置,
所述发光装置具有:
第1半导体层;
第2半导体层,其导电型与所述第1半导体层不同;
发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间,通过被注入电流而产生光;
第1电极,其与所述第1半导体层电连接;
第2电极,其与所述第2半导体层电连接;以及
第3电极,其与所述第2电极连接,
所述第2电极使所述发光层产生的光透过,
所述第3电极的电阻率低于所述第2电极的电阻率,
所述第3电极具有在第1方向上排列的多个第1导电部,
所述光调制装置具有:
多个像素;以及
相邻的所述像素之间的间隙区域,
多个所述第1导电部的所述第1方向的间距是对多个所述间隙区域的所述第1方向的间距乘以所述透镜系统的倍率而得到的值的整数倍,
由从所述发光装置出射的光产生的所述第1导电部的影子被投影到所述间隙区域中。
8.根据权利要求7所述的投影仪,其中,
所述第3电极具有:
多个所述第1导电部的所述第1方向的间距为第1间距的第1部分;以及
多个所述第1导电部的所述第1方向的间距为比所述第1间距小的第2间距的第2部分,
在从所述第1半导体层和所述发光层的层叠方向观察时,所述第2部分与所述第2电极的中心之间的距离小于所述第1部分与所述第2电极的中心之间的距离。
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