[发明专利]一种新型电源电路在审
申请号: | 201910372980.0 | 申请日: | 2019-05-06 |
公开(公告)号: | CN110011536A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 张鹏 | 申请(专利权)人: | 核芯互联(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 北京知呱呱知识产权代理有限公司 11577 | 代理人: | 贺亚明;杨乐 |
地址: | 100000 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可配置 工作环路 带隙基准模块 新型电源电路 工作模式切换 工作模式 控制信号 寄存器 电路 低压差线性稳压器 传统电源电路 电压抖动 电源电路 工作成本 基准电压 集成芯片 占用空间 重新建立 传统的 低性能 电连接 外部 占用 申请 | ||
1.一种新型电源电路,其特征在于,所述电路包括:带隙基准模块和可配置低压差线性稳压器LDO,所述可配置LDO分别与所述带隙基准模块以及外部的寄存器建立电连接,所述可配置LDO包括一个工作环路;
所述带隙基准模块为所述可配置LDO提供基准电压;
所述可配置LDO用于,接收所述外部的寄存器发出的控制信号,根据所述控制信号对所述工作环路进行调整,执行工作模式切换。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述工作环路包括负反馈系统以及第一电阻;
所述可配置LDO用于,当根据所述控制信号确定执行高性能工作模式时,对所述负反馈系统进行调节,以使所述可配置LDO的输出电压为第一预设电压值,并控制所述第一电阻处于有效状态;
或者,当根据所述控制信号确定执行低性能工作模式时,对所述负反馈系统进行调节,以使所述可配置LDO的输出电压为第二预设电压值,并控制所述第一电阻处于无效状态,其中所述第二预设电压值小于所述第一预设电压值。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述负反馈系统包括:运算放大器、第一电容、第二电容、第一晶体管、第二电阻以及第三电阻,所述第二电阻为可调电阻;
所述运算放大器的第一输入端电连接所述带隙基准模块,所述运算放大器的第二输入端电连接所述第二电阻的一端以及所述第三电阻的一端;所述运算放大器的第三输入端电连接所述外部寄存器的输出端;所述运算放大器的输出端分别电连接所述第一电容的一端和所述第一晶体管的基极;所述第一电容的另一端接地;所述第一晶体管的发射极与所述第三电阻的另一端分别与所述第二电容的一端电连接,所述第二电容的另一端接地;所述第一晶体管的集电极与所述带隙基准模块分别连接电压源;所述第二电阻的另一端接地;所述第二电容的一端与所述第一电阻的一端连接后作为所述可配置LDO的输出端;所述第一电阻的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述可配置LDO具体用于,调整所述第二电阻和第三电阻之间的阻值比,以使所述可配置LDO的输出电压为第一预设电压值或者为第二预设电压值。
5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,当所述第二电阻和第三电阻之间的阻值比为第一数值时,所述可配置LDO的输出电压为第一预设电压值;
或者,当所述第二电阻和第三电阻之间的阻值比为第二数值时,所述可配置LDO的输出电压为第二预设电压值。
6.根据权利要求3-5任一项所述的电路,其特征在于,所述运算放大器包括:第二晶体管至第五晶体管、第一电流表以及第二电流表,其中所述第一电流表为可关闭电流表;
第二晶体管的基极电连接所述带隙基准模块;发射极电连接第一电流表后接地,所述第二晶体管的发射极电连接第三晶体管的集电极,所述第三晶体管基极经过非门后,和第四晶体管的基极经过非门后,再进行电连接;二者的连接端子再电连接所述第二晶体管的集电极;所述第三晶体管的发射极与所述第四晶体管的发射极均分别电连接所述电压源;所述第四晶体管的集电极与第五晶体管的集电极电连接后作为运算放大器的输出端;所述第五晶体管的发射极电连接第二电流表后接地;所述第一电流表和所述第二电流表并联。
7.根据权利要求6所述的电路,其特征在于,所述第二电流表始终处于有效状态;当根据所述控制信号确定执行高性能工作模式时,所述第一电流表处于开启状态;
或者,当根据所述控制信号确定执行低性能工作模式时,所述第一电流表处于关闭状态。
8.根据权利要求2-5或7任一项所述的电路,其特征在于,所述电路还包括控制开关,当根据所述控制信号确定执行高性能工作模式时,所述控制开关开启,控制所述第一电阻处于有效状态;
或者,当根据所述控制信号确定执行低性能工作模式时,所述控制开关关闭,控制所述第一电阻处于无效状态。
9.根据权利要求2-5或7任一项所述的电路,其特征在于,所述第一电阻阻值为15K。
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