[发明专利]一种Bi2

权利要求书

1.一种Bi₂Te₃/Bi₂O₃/TiO₂三元异质结薄膜的制备方法，其特征在于：

1）以硝酸铋作为铋源，二氧化碲作为碲源，将铋源和碲源溶于硝酸溶液中，调节上述溶液的pH=0，作为电解液；

2）以TiO₂纳米薄膜为工作电极，以铂片为辅助电极，以饱和甘汞电极为参比电极，构建三电极体系，利用上述获得的电解液通过一步恒电位沉积法和加热处理于TiO₂纳米薄膜表面获得Bi₂Te₃/Bi₂O₃纳米花，得到Bi₂Te₃/Bi₂O₃/TiO₂三元异质结薄膜；

所述电解液中硝酸铋的终浓度为1 mmol/L~10 mmol/L，二氧化碲的终浓度为1.5mmol/L ~15 mmol/L，硝酸的终浓度为1mol/L~10 mol/L；

所述恒电位沉积电位在0.1 V~-0.6 V之间，恒电位沉积时间为1s~3600s；最后在空气中20 ℃~80 ℃下将样品加热1 h-24 h，形成Bi₂Te₃/Bi₂O₃；

所述TiO₂纳米薄膜为采用铂片做阴极、钛板做阳极，以含有氟化铵的乙二醇作为电解液，阳极氧化法得到TiO₂纳米薄膜；其中，氟化铵与乙二醇质量比1:200；所述阳极氧化法为由直流电源提供20V的直流电压，阳极氧化时间为1-2 h，马弗炉中450-600℃下煅烧120-200分钟，自然冷却后得到TiO₂纳米薄膜。

2.一种权利要求1所述的方法制备的Bi₂Te₃/Bi₂O₃/TiO₂三元异质结薄膜，其特征在于：按照权利要求1所述的方法制备获得TiO₂纳米薄膜表面负载Bi₂Te₃/Bi₂O₃纳米花，且由Bi₂Te₃，Bi₂O₃和TiO₂三种半导体两两之间构成的异质结的薄膜。

3.一种权利要求2所述的Bi₂Te₃/Bi₂O₃/TiO₂三元异质结薄膜的应用，其特征在于：所述Bi₂Te₃/Bi₂O₃/TiO₂三元异质结薄膜在用于光生阴极保护中腐蚀的应用。