[发明专利]气体传感器阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米管阵列气体传感器，包括：

绝缘体模板，包括由平行排列的开口纳米管形成的纳米管阵列；

传感材料，至少沉积在所述开口纳米管的内表面上。

2.根据权利要求1所述的纳米管阵列气体传感器，还包括分布在传感材料上的催化剂纳米颗粒。

3.根据权利要求1或2所述的纳米管阵列气体传感器，还包括：

至少一个第一顶部电极，位于绝缘体模板顶部的至少第一部分上；

至少一个第二顶部电极，位于绝缘体模板顶部的至少第二部分上；

至少一个底部电极，位于绝缘体模板底部的至少一部分上；以及

电子控制器，与所述至少一个第一顶部电极、至少一个第二顶部电极和至少一个底部电极耦合，并且用于测量所述绝缘体模板的电阻；

所述绝缘体模板的电阻包括所述至少一个第一顶部电极与所述至少一个底部电极之间的第一电阻，以及所述至少一个第二顶部电极和所述至少一个底部电极之间的第二电阻，其中所述第一电阻和所述第二电阻表征纳米管阵列气体传感器中的气体的种类和浓度。

4.根据权利要求1所述的纳米管阵列气体传感器，其中所述开口纳米管的材料包括阳极氧化铝(AAO)。

5.根据权利要求1所述的纳米管阵列气体传感器，其中所述纳米管阵列具有30-50μm的厚度、500nm的纳米管间距；所述开口纳米管具有300-350nm的孔径。

6.根据权利要求1所述的纳米管阵列气体传感器，其中所述传感材料包括氧化锡。

7.根据权利要求1所述的纳米管阵列气体传感器，其中所述催化剂纳米颗粒包括铂纳米颗粒。

8.根据权利要求3所述的纳米管阵列气体传感器，所述第一顶部电极和第二顶部电极分别包含不同的导体材料。

9.根据权利要求8所述的纳米管阵列气体传感器，其中所述导体材料包括金、铂、镍、或氧化铟锡中的至少一种。

10.根据权利要求3所述的纳米管阵列气体传感器，其中所述第一顶部电极包含金，并且所述第二顶部电极包含铂，并且还包括：

至少一个第三顶部电极位于绝缘体模板顶部的至少第三部分上，其中所述至少一个第三顶部电极包含镍，以及

至少一个第四顶部电极位于绝缘体模板顶部的至少第四部分上，其中至少一个第四顶部电极包含氧化铟锡。

11.根据权利要求1所述的纳米管阵列气体传感器，其中，所述至少一个底部电极包括公共接地电极。

12.根据权利要求1所述的纳米管阵列气体传感器，还包括印刷电路板，其中所述至少一个第一顶部电极、至少一个第二顶部电极和至少一个底部电极与印刷电路板上的附接点电耦合，并且所述印刷电路板包括至少一个气流孔。

13.根据权利要求1所述的纳米管阵列气体传感器，还包括计算机可读介质，所述计算机可读介质中存储有对应于一种或多种气体类型、气体浓度或气体混合物的电阻曲线，其中所述电子控制器用于对测量的电阻和电阻曲线进行比较，以确定与纳米管阵列气体传感器中气体有关的气体类型、气体浓度或气体混合物。