[发明专利]在带有多图案化的技术中带有相关误差抑制和改进的系统不匹配的电容器结构

权利要求书

1.一种电容器阵列，包括：

单位电容器结构，所述单位电容器结构通过单位电容值来表征；

多个不同的超级单位电容器结构，每个不同的超级单位电容器结构具有由所述单位电容值的倍增定义的不同电容；和

多个不同的子单位电容器结构，每个不同的子单位电容器结构具有由所述单位电容值的分数定义的不同电容；

其中所述单位电容器结构中的每个单位电容器结构包括占据总面积的金属层阵列，每个金属层阵列包括下金属层和与所述下金属层正交的上金属层，所述下金属层包括第一非重叠下半部和第二非重叠下半部，所述上金属层包括第一非重叠上半部和第二非重叠上半部，并且其中所述多个不同的子单位电容器结构中的每个包括与每个单位电容器结构占据相同总面积的相同金属层阵列。

2.根据权利要求1所述的电容器阵列，包括单位电容器结构端子，所述单位电容器结构端子与多个金属线耦接，所述多个金属线基本上分布在所述单位电容器结构的所述第一非重叠下半部和所述第二非重叠下半部以及所述第一非重叠上半部和所述第二非重叠上半部之间。

3.根据权利要求2所述的电容器阵列，包括1/2子单位电容器结构，所述1/2子单位电容器结构带有所述单位电容值的1/2的电容值，所述1/2子单位电容器结构具有1/2子单位电容器结构端子，所述1/2子单位电容器结构端子与多个金属线耦接，所述多个金属线基本上仅分布在所述1/2子单位电容器结构的所述第一非重叠下半部和所述第一非重叠上半部之间。

4.根据权利要求3所述的电容器阵列，包括1/4子单位电容器结构，所述1/4子单位电容器结构带有所述单位电容值的1/4的电容值，所述1/4子单位电容器结构具有1/4子单位电容器结构端子，所述1/4子单位电容器结构端子与多个金属线耦接，所述多个金属线基本上仅分布在所述1/4子单位电容器结构的所述第二非重叠下半部和所述第二非重叠上半部之间。

5.根据权利要求4所述的电容器阵列，包括1/8子单位电容器结构，所述1/8子单位电容器结构带有所述单位电容值的1/8的电容值，所述1/8子单位电容器结构具有1/8子单位电容器结构端子，所述1/8子单位电容器结构端子与多个金属线耦接，所述多个金属线基本上仅分布在所述1/8子单位电容器结构的所述第二非重叠下半部和所述第二非重叠上半部之间。

6.一种电容器阵列，包括：

单位电容器结构，所述单位电容器结构通过单位电容值来表征；

多个不同的子单位电容器结构，每个不同的子单位电容器结构具有由对应于1/(2^n)的所述单位电容值的分数定义的不同电容，其中n是从1到对应于所述电容器阵列的最低有效位(LSB)的最大细分n_max的整数值；以及

多个不同的超级单位电容器结构，每个不同的超级单位电容器结构具有由对应于2^m的所述单位电容值的倍增定义的不同电容，其中m是从1到对应于所述电容器阵列的最高有效位(MSB)的最大倍增m_max的整数值，并且

其中每个不同的子单位电容器结构占据与所述单位电容器结构相同的总面积。

7.根据权利要求6所述的电容器阵列，其中n_max≥2。

8.根据权利要求6所述的电容器阵列，其中所述单位电容器结构、所述多个不同的子单位电容器结构和所述多个不同的超级单位电容器结构中的每个包括相同的金属层阵列，每个金属层阵列包括下金属层和与所述下金属层正交的上金属层，所述下金属层包括第一非重叠下半部和第二非重叠下半部，所述上金属层包括第一非重叠上半部和第二非重叠上半部。

9.根据权利要求8所述的电容器阵列，包括单位电容器结构端子，所述单位电容器结构端子与多个金属线耦接，所述多个金属线基本上分布在所述单位电容器结构的所述第一非重叠下半部和所述第二非重叠下半部以及所述第一非重叠上半部和所述第二非重叠上半部之间。