[发明专利]一种SnS2

说明书

本发明公开了一种SnS₂/1T‑MoS₂QDS复合光催化剂，包括含有S空位缺陷的SnS₂纳米片以及负载在SnS₂纳米片上的1T‑MoS₂QDS，1T‑MoS₂QDS与SnS₂纳米片形成异质结，且1T‑MoS₂QDS在复合光催化剂中的重量占比为1‑3％。本发明的催化剂有效地控制了所产生的S空位缺陷的数量，产生的S空位能有效地调节SnS₂的能带结构，1T‑MoS₂QDS与SnS₂纳米片形成异质结，通过水热反应巩固了两者的界面。本发明的催化剂能促进光生电子‑空穴对的分离，降低光生电子‑空穴对的复合速率，展现出更高的催化活性，具备广泛的应用前景。

技术领域

本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种SnS₂/1T-MoS₂QDS复合光催化剂、制备方法及应用。

背景技术

六价铬是皮革鞣制、电镀和铬酸盐生产等工业过程产生的废水中常见的污染物。由于它毒性高、流动性强及致癌性，对人类身体健康及水资源产生了严重的威胁。因此，水中六价铬的有效去除是废水治理中的重中之重。

半导体光催化技术作为一种高效、环保且具有广阔应用前景的水处理技术越来越受到人们的广泛关注。在诸多半导体材料中，二硫化锡因其成本低廉、无毒、光谱响应宽等优点而受到科研工作者的广泛关注，但SnS₂作为一种光催化剂，本身仍存在一些缺点，如光生载流子复合率高、可见光利用率低等缺点，导致其光催化活性低，这大大限制了其在光催化领域的实际应用。因此，为充分发挥SnS₂的光催化性能，需要降低电子空穴复合几率，提高可见光利用率。而开发出一种光谱响应宽，光生电子-空穴复合几率低，稳定可靠的光催化剂或复合光催化剂至关重要。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术中的问题，提供一种SnS₂/1T-MoS₂QDS 复合光催化剂及其制备方法。

本发明的第一个目的是提供一种SnS₂/1T-MoS₂QDS复合光催化剂，包括含有S空位缺陷的SnS₂纳米片以及负载在所述SnS₂纳米片上的1T-MoS₂QDS，所述1T-MoS₂QDS与所述SnS₂纳米片形成异质结，且所述1T-MoS₂QDS在所述复合光催化剂中的重量占比为1-3％。

本发明的第二个目的是提供一种SnS₂/1T-MoS₂QDS复合光催化剂的制备方法，包括以下步骤：

步骤1，SnCl₄·5H₂O与含硫化合物A发生水热反应，制备得到含S空位缺陷的SnS₂纳米片；

步骤2，钼酸盐与含硫化合物B发生水热反应，制备得到1T-MoS₂QDS溶液；

步骤3，SnS₂纳米片与1T-MoS₂QDS发生水热反应，制备得到含S空位缺陷的SnS₂/1T-MoS₂QDS复合光催化剂。

优选的，步骤1中制备SnS₂纳米片的具体步骤如下：

将SnCl₄·5H₂O与柠檬酸溶于超纯水A中，然后加入含硫化合物A，搅拌1-5h，搅拌完毕后于150-180℃下水热反应12h，反应完毕后将反应液离心、洗涤、干燥，得黄色固体沉淀，即为所述SnS₂纳米片；