[发明专利]一种便于射频前端集成的温度补偿声表面波器件及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种声表面波器件，其特征在于：该器件由下至上依次为压电基片、温度补偿薄膜、叉指换能器和压电薄膜；

所述压电基片的材质为GaN、GaAs或者其他基片上的GaN薄膜；所述其他基片包括蓝宝石基片、Si基片和SiC基片中的至少一种；

所述温度补偿薄膜的材质为二氧化硅和/或氮氧化硅；

所述声表面波器件是由包括如下步骤的方法制备得到的：1)采用物理气相沉积或化学气相沉积，在所述压电基片上沉积所述温度补偿薄膜；

2)利用光刻技术和电子束蒸镀方法，在所述温度补偿薄膜上制备所述叉指换能器；

3)采用磁控溅射方法，在所述叉指换能器叉指换能器上生长所述压电薄膜，即得到所述声表面波器件。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于：所述叉指换能器包括依次设置在所述温度补偿薄膜上的金属打底层和金属主体层。

3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于：制成所述金属打底层的金属包括Ti、Ni、Zr和Cr中的至少一种；

制成所述金属主体层的金属包括Al、Cu、Pt和Mo中的至少一种；

所述金属打底层的厚度为1nm～50nm；

所述金属主体层的厚度为80nm～200nm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的器件，其特征在于：所述叉指换能器的线宽为100nm～5μm，金属化比为0.3～0.8，周期为400nm～20μm；

所述叉指换能器与所述压电薄膜采用嵌入式设置。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的器件，其特征在于：所述压电薄膜的材质为氧化锌或掺杂氧化锌。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于：所述掺杂氧化锌中掺杂的元素为V、Cr和Fe中的至少一种；

所述掺杂氧化锌中掺杂的元素的掺杂量为0.3％～5％。

7.权利要求1-6中任一项所述的声表面波器件的制备方法，包括如下步骤：1)采用物理气相沉积或化学气相沉积，在所述压电基片上沉积所述温度补偿薄膜；

2)利用光刻技术和电子束蒸镀方法，在所述温度补偿薄膜上制备所述叉指换能器；

3)采用磁控溅射方法，在所述叉指换能器叉指换能器上生长所述压电薄膜，即得到所述声表面波器件。

8.权利要求1-6中任一项所述的声表面波器件在制备宽禁带半导体射频前端和/或具有温度补偿功能的声表面波器件中的应用。