[发明专利]一种嵌套独立水冷结晶器实现电渣熔铸去除补贴的方法

权利要求书

1.一种通过嵌套独立水冷结晶器实现电渣熔铸过程去除补贴的控制方法，其特征在于：具体步骤如下：

步骤一、根据产品补贴形状及位置，制造可自动调节补贴大小的独立水冷结晶器；

步骤二、根据产品补贴形状及位置，独立水冷结晶器通过升降机构上下调节，确定独立水冷结晶器的工作面结构、工作面与主体结晶器的下结晶器预留间隙d、内部水路结构和嵌套位置；

步骤三、主体结晶器实现主体熔铸任务，独立水冷结晶器实现去除补贴任务，二者结合完成；

所述独立水冷结晶器水冷结构为内涡流式、Z字折返式或常规的水缝底返式；

通过升降机构下端的螺纹轴带动独立水冷结晶器上端的螺纹孔(13)下探独立水冷结晶器至下结晶器中e深度，并可借助U型槽(14)及限位螺丝孔(16)，用限位螺丝将独立水冷结晶器下探位置锁死；

所述独立水冷结晶器通过升降机构保障电渣熔铸过程独立水冷结晶器的一部分安全插入熔渣中。

2.按照权利要求1所述通过嵌套独立水冷结晶器实现电渣熔铸过程去除补贴的控制方法，其特征在于：所述独立水冷结晶器高度为120～300mm。

3.按照权利要求1所述通过嵌套独立水冷结晶器实现电渣熔铸过程去除补贴的控制方法，其特征在于：所述步骤二中预留间隙d为3-15mm。

4.按照权利要求1所述通过嵌套独立水冷结晶器实现电渣熔铸过程去除补贴的控制方法，其特征在于：所述独立水冷结晶器的个数为1-100，每个独立水冷结晶器配备独立阀门与压力表。

5.按照权利要求1所述通过嵌套独立水冷结晶器实现电渣熔铸过程去除补贴的控制方法，其特征在于：所述独立水冷结晶器水冷结构为内涡流式，进水管位于独立水冷结晶器底部热量集中的中间区域，出水管位于独立水冷结晶器底部低热量区域。

6.按照权利要求1所述通过嵌套独立水冷结晶器实现电渣熔铸过程去除补贴的控制方法，其特征在于：所述e深度为30～150mm。