[发明专利]一种蒽类化合物及其制法和应用

说明书

本发明涉及一种蒽类化合物及其制法和应用，化合物结构式如式1所示：本发明化合物的结构使得电子和空穴在发光层的分布更加平衡，在恰当的HOMO能级下，提升了空穴注入和传输性能；在合适的LUMO能级下，又起到了电子阻挡的作用，提升激子在发光层中的复合效率；作为OLED发光器件的发光功能层材料使用时，蒽并咔唑结构搭配本发明范围内的支链可有效提高激子利用率和高荧光辐射效率，降低高电流密度下的效率滚降，降低器件电压，提高器件的电流效率和寿命。本发明化合物在OLED器件应用时，通过器件结构优化，可保持高的膜层稳定性，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。本发明所述化合物在OLED发光器件中具有良好的应用效果和产业化前景。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种蒽类化合物及其制法和应用。

背景技术

有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。OLED发光器件包括电极材料及夹在不同电极之间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。当对其两端电极施加电压，并通过电场作用有机功能材料层中的正负电荷时，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生OLED电致发光。

为了制作高性能的OLED发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电性能，譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，高玻璃化转化温度等，作为发光层的主体材料具有良好双极性，适当的HOMO/LUMO能阶等。

构成OLED器件的OLED光电功能材料膜层至少包括两层以上结构，产业上应用的OLED器件结构则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层，也就是说应用于OLED器件的光电功能材料至少包括空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料等，材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外，对于不同结构的OLED器件搭配而言，所使用的光电功能材料具有较强的选择性，相同的材料在不同结构器件中的性能表现也可能完全迥异。因此开发一种符合实用性要求的新型光电功能材料成为了迫切需求。

发明内容

本发明的目的是提供一种蒽类化合物及其制法和应用，本发明化合物含有蒽结构，具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性，合适的HOMO和LUMO能级，较高Eg，通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。

为了实现上述目的，本发明的技术方案具体如下：

一种蒽类化合物，其结构式如式1所示：

其中：

R_a、R_b和R_c各自独立地表示：氢、氢的同位素、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、磺酸基、磺酰基、磷酸基、磷酰基、取代或非取代的硅基、硼烷基、磷基、取代或非取代的C1～C60的烷基、C3～C60的环烷基、烷氧基、烷胺基、烷巯基、取代或非取代的C2～C60的烯基、C3～C60的环烯基、取代或非取代的C3～C60的炔基、C3～C60的环炔基、取代或非取代的C6～C60芳基或C6～C60的杂环基；

m为0～3的整数；n和k均为0～4的整数；

R₁为取代或非取代的C1～C30烷基、取代或非取代的C6～C30芳基或取代或非取代的C1～C30杂芳基；或与相邻取代基连接形成单环或多环C3-C30脂环族环或芳香族环，其碳原子可置换为至少一个选自氮、氧或硫的杂原子；