[发明专利]温度控制方法

权利要求书

1.一种电容耦合型等离子体处理装置的上部电极的温度控制方法，其特征在于，包括：

冷却所述上部电极的步骤；

在执行所述冷却所述上部电极的步骤的期间，利用在所述等离子体处理装置的腔室内生成的等离子体来蚀刻基片的膜的步骤，其中该基片载置于在该腔室内设置的支承台上，该支承台包括下部电极；

在执行所述蚀刻基片的膜的步骤的期间在所述上部电极产生负极性的偏置电压的步骤；

使所述上部电极的温度上升的步骤；和

在所述基片的表面上形成保护膜的步骤，

在执行所述形成保护膜的步骤之前或者期间，执行所述使所述上部电极的温度上升的步骤，

交替地执行所述蚀刻基片的膜的步骤和所述形成保护膜的步骤，

在所述上部电极内形成有具有入口和出口的流路，该上部电极构成蒸发器，

在所述流路的所述出口与所述入口之间依次连接有压缩机、冷凝器和膨胀阀，

在所述压缩机的输出端和所述入口之间以绕过所述冷凝器和所述膨胀阀的方式连接有分流阀，

在所述冷却所述上部电极的步骤中，经由所述压缩机、所述冷凝器和所述膨胀阀将制冷剂供给到所述流路，

在所述使所述上部电极的温度上升的步骤中，打开所述分流阀并且加热所述上部电极。

2.如权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于：

在所述使所述上部电极的温度上升的步骤中，所述上部电极由加热器加热。

3.如权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于：

在所述使所述上部电极的温度上升的步骤中，利用来自在所述等离子体处理装置的腔室内生成的等离子体的热，来加热所述上部电极。

4.如权利要求1～3中任一项所述的温度控制方法，其特征在于：

所述基片的所述膜含有硅，

在所述蚀刻基片的膜的步骤中，生成含有碳、氢和氟的处理气体的所述等离子体。

5.如权利要求4所述的温度控制方法，其特征在于：

所述基片的所述膜是具有交替地层叠有多层硅氧化物膜和多层硅氮化物膜的多层膜。