[发明专利]电压转换电路有效
申请号: | 201910315020.0 | 申请日: | 2019-04-18 |
公开(公告)号: | CN110149049B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 耿翔 | 申请(专利权)人: | 上海南芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158;H02M1/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张振军;吴敏 |
地址: | 200433 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 转换 电路 | ||
1.一种电压转换电路,其特征在于,包括:
输出电容,其一端接地,其另一端输出输出电压;
开关元件,其一端耦接电源电压,其另一端耦接所述输出电容的另一端;
电感元件,其一端用于对所述开关元件输出电感电流,其另一端接地;
负载元件,其一端耦接所述输出电容的另一端,其另一端接地;
偏置电流生成电路,用以对流经所述负载元件的负载电流进行采样,并根据采样后的电流生成第一偏置电流,所述第一偏置电流与所述负载电流成比例关系,并且所述第一偏置电流与所述负载电流正相关;
振荡器,用以根据输入的所述第一偏置电流产生时钟信号;
输出电压控制模块,用以根据所述时钟信号以及输出电压反馈电压生成并输出控制电压至所述开关元件的控制端,以通过控制所述开关元件的导通或关断控制所述输出电压的电压值,所述输出电压反馈电压随所述输出电压的变化而变化;所述输出电压控制模块包括:误差放大器,用以比较预设的参考电压与所述输出电压反馈电压,并输出误差电压;电压转电流电路,用以将所述误差电压转换为比较电流;负载电路,用以根据所述比较电流生成比较电压;比较电路,用以将所述比较电压与电感电压进行比较,并产生脉冲电压,所述电感电压为电感电流流经所述开关元件所产生的电压;逻辑控制电路,用以根据所述脉冲电压以及所述时钟信号控制所述开关元件的导通或关断,以控制所述输出电压的电压值。
2.根据权利要求1所述的电压转换电路,其特征在于,所述采样后的电流远小于所述负载电流。
3.根据权利要求1所述的电压转换电路,其特征在于,所述采样后的电流位于预设电压范围内时,所述第一偏置电流正比于所述采样后的电流。
4.根据权利要求3所述的电压转换电路,其特征在于,所述采样后的电流小于所述预设电压范围内最小电压值时,所述第一偏置电流为第一预设值;所述采样后的电流大于所述预设电压范围内最大电压值时,所述第一偏置电流为第二预设值,所述第二预设值大于所述第一预设值。
5.根据权利要求1所述的电压转换电路,其特征在于,所述偏置电流生成电路包括:
第一镜像电流源,包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第五NMOS管,所述第一NMOS管的源极接入所述采样后的电流,所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管、第三NMOS管以及第五NMOS管的漏极相耦接,所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管、第三NMOS管以及第五NMOS管的栅极相耦接且接入所述采样后的电流;
第二镜像电流源,包括第六NMOS管、第四NMOS管和第七NMOS管,所述第六NMOS管的源极耦接第一电流源,所述第六NMOS管的漏极与所述第四NMOS管和第七NMOS管的漏极相耦接,所述第六NMOS管的栅极与所述第四NMOS管和第七NMOS管的栅极相耦接且耦接所述第一电流源,所述第二NMOS管的源极耦接所述第六NMOS管的栅极;
第三镜像电流源,其第一输入端耦接所述第三NMOS管和第四NMOS管的源极,其控制端以及第二输入端耦接第二电流源,其输出端接地;
第四镜像电流源,其第一输入端以及控制端耦接所述第三NMOS管和第四NMOS管的源极,其第二输入端耦接所述第五NMOS管的源极,其输出端接地;
第五镜像电流源,其第一输入端以及控制端耦接所述第五NMOS管的源极,其输出端输出所述第一偏置电流,其接地端接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海南芯半导体科技有限公司,未经上海南芯半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910315020.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。