[发明专利]用于半导体制造部件的高纯度金属顶涂层在审

专利信息
申请号: 201910309420.0 申请日: 2014-11-11
公开(公告)号: CN109989057A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: J·Y·孙;V·菲鲁兹多尔 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C24/04 分类号: C23C24/04;C23C28/00;C25D11/04;C25D11/34
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 汪骏飞;侯颖媖
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 半导体制造 腔室 等离子体蚀刻 高纯度金属 沉积腔室 金属粉末 阳极化层 顶涂层 冷喷涂 阳极化 加载 涂覆
【权利要求书】:

1.一种制品,所述制品包括:

部件,所述部件用于制造腔室;

涂层,在所述部件上;以及

阳极化层,所述阳极化层形成在所述涂层上,所述阳极化层具有约2-10密尔的厚度,其中,所述阳极化层包括低孔隙率层部分和多孔的柱状层部分,所述低孔隙率层部分具有大于99%的密度,所述多孔的柱状层部分具有比所述低孔隙率层部分更高的孔隙率并且包含多个具有约10-50nm的直径的柱状纳米孔隙。

2.如权利要求1所述的制品,其中,所述涂层是金属冷喷涂层。

3.如权利要求1或2所述的制品,其中,所述制品进一步包括在所述部件和所述涂层之间的阻挡层。

4.如权利要求3所述的制品,其中,所述阻挡层具有约0.1微米至5微米范围中的厚度。

5.如权利要求3所述的制品,其中,所述部件包含铝或钛中的第一个,其中所述涂层包含铝或钛中的第二个,并且其中所述阻挡层包含铝和钛的固溶体。

6.如权利要求1或2所述的制品,其中,所述部件包含以下各者中的至少一者:铝、铝合金、不锈钢、钛、钛合金、镁或镁合金。

7.如权利要求1或2所述的制品,其中,所述涂层包含铝、铝合金、钛、钛合金、铌、铌合金、锆、锆合金、铜或铜合金。

8.如权利要求1或2所述的制品,其中,所述多孔的柱状层部分具有约40-50%的孔隙率。

9.如权利要求1或2所述的制品,其中,所述部件具有约120微英寸的平均表面粗糙度。

10.如权利要求1或2所述的制品,其中,所述涂层包含第一金属和第二金属的梯度。

11.如权利要求1或2所述的制品,其中,所述涂层具有约0.2mm至5.0mm的厚度,并且具有小于约20微英寸的平均表面粗糙度。

12.如权利要求1或2所述的制品,其中,所述涂层没有氧化物夹杂。

13.如权利要求1或2所述的制品,其中,所述部件是喷淋头、阴极套管、套管衬垫门、阴极基座、腔室内衬或静电卡盘基座。

14.一种制品,所述制品包括制造腔室的部件、所述部件的表面上的涂层以及所述涂层上的阳极化层,所述制品通过包括以下步骤的过程被制造:

在所述部件的所述表面上沉积涂层;以及

阳极化所述涂层以形成阳极化层,所述阳极化层具有约2-10密耳的厚度,其中阳极化所述涂层包括:

在所述阳极化的开始期间施加第一电流密度以形成所述阳极化层的低孔隙率层部分,所述低孔隙率层部分具有大于约99%的密度;以及

在所述阳极化的剩余时期期间施加低于所述第一电流密度的第二电流密度以形成所述阳极化层的多孔的柱状层部分,所述多孔的柱状层部分具有比所述低孔隙率层部分更高的孔隙率并且包含多个具有约10-50nm的直径的柱状纳米孔隙。

15.如权利要求14所述的制品,其中,所述阳极化层的所述多孔的柱状层部分具有约40-50%的孔隙率。

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