[发明专利]一种引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金及其制造方法

权利要求书

1.一种引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金，其按质量份包含有Ni：1.0～2.5 %、Co：0.5～2.5 %、Si：0.3～1.2 %，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成其中。

2.一种加工如权利要求所述引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金的制造方法，其包括依次进行以下工序：

1）、熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼，合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1245～1255℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1139～1160℃；

2）、铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm；

3）、热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为92～95%；

4）、经过立式或卧式的退火炉加热至固溶温度T₁，随后快速进行气体冷却，冷却气体采用的为氮气与氩气的混合气体，混合比例根据成分及加工率的不同在N₂/Ar=1~3.5之间，气体温度≤20℃，再经过钟罩式退火炉加热至温度T₂，随后保温1~8小时，在快速进行气体冷却，这一阶段的冷却气体采用的是氮气与氩气的混合气体，混合比例根据成分及加工率的不同在N₂/Ar=2~3.2之间，气体温度≤20℃，随后在5℃~30℃/分钟之间将温度升至T₃，保温1小时，随后进行随炉冷却析出合金粒子，合金粒子的晶粒大小在85～180μm之间，析出的晶粒中，粒径为3nm~10nm的NiSi相个数密度为8×10¹³～6×10¹⁴个／mm³，CoSi相个数密度为4×10⁵～6×10⁸个／mm³；10nm~20nm的NiSi相个数密度为3×10¹⁰～4×10¹²个／mm³，CoSi相个数密度为3×10⁶～7×10⁹个／mm³；20nm-30nm的NiSi相个数密度为8×10⁹～2×10¹¹个／mm³，CoSi相个数密度为8×10⁷～2×10¹⁰个／mm³；30nm以上的NiSi相个数密度为6×10⁵～9×10⁷个／mm³，CoSi相个数密度为3×10⁹～2×10¹²个／mm³；但最大析出粒子直径NiSi相不超过45nm，CoSi相不超过50nm；两个30nm以上NiSi析出相之间的最小间距大于等于105nm，两个30nm以上CoSi析出相之间的最小间距大于等于140nm，两个30nm以上NiSi析出相和CoSi析出相之间的最小间距大于等于110nm。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：T₁的范围为880℃~1020℃。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：T₂的温度范围为420℃~490℃。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：T₃的温度范围为150℃~320℃。