[发明专利]大电流多输入防倒灌低压降防反接电路、LED驱动器和车辆在审
申请号: | 201910306321.7 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN111836429A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 魏青海;徐宝奇;姚肖勇;柴正 | 申请(专利权)人: | 常州星宇车灯股份有限公司 |
主分类号: | H05B45/34 | 分类号: | H05B45/34;H05B45/50 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 王清 |
地址: | 213022 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 输入 倒灌 低压 反接 电路 led 驱动器 车辆 | ||
1.一种大电流多输入防倒灌低压降防反接电路,其特征在于,包括分别设置在每个输入通道上的MOS管和对应每个MOS管设置的控制电路,其中,每个所述MOS管的第一极分别连接到对应的信号源,每个所述MOS管的第二极连接到一起,所述控制电路包括:
第一分压支路,所述第一分压支路的一端与所述MOS管的第一极相连,所述第一分压支路的另一端接地;
第二分压支路,所述第二分压支路的一端与所述MOS管的第二极相连,所述第二分压支路的另一端接地;
比较器,所述比较器的同相输入端与所述第一分压支路的分压节点相连,所述比较器的反向输入端与所述第二分压支路的分压节点相连;
三极管,所述三极管的基极与所述比较器的输出端相连,所述三极管的集电极通过限流电阻连接到所述MOS管的控制极,所述三极管的发射极接地。
2.根据权利要求1所述的大电流多输入防倒灌低压降防反接电路,其特征在于,所述第一分压支路和所述第二分压支路分别包括至少两个分压电阻。
3.根据权利要求1所述的大电流多输入防倒灌低压降防反接电路,其特征在于,所述MOS管为PMOS管,所述MOS管的第一极、第二极、控制极分别为所述PMOS管的漏极、源极、栅极。
4.根据权利要求3所述的大电流多输入防倒灌低压降防反接电路,其特征在于,所述控制电路还包括连接于所述PMOS管的栅极和源极之间的保护电阻和稳压二极管。
5.一种LED驱动器,其特征在于,包括根据权利要求1-4中任一项所述的大电流多输入防倒灌低压降防反接电路。
6.一种车辆,其特征在于,包括根据权利要求5所述的LED驱动器。
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