[发明专利]驱动控制电路和家电设备

权利要求书

1.一种驱动控制电路，其特征在于，包括：

电压吸收补偿支路，与逆变器并联，所述电压吸收补偿支路包括串联的容性元件和开关器件，所述开关器件被配置为控制所述容性元件进行充电或放电，

其中，所述容性元件放电对所述逆变器进行电压补偿，所述逆变器被配置为驱动负载运行。

2.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，

所述逆变器接入于高压母线与低压母线之间，所述开关器件的一端连接至所述高压母线，所述容性元件的一端连接至所述低压母线。

3.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，还包括：

控制器，所述控制器连接至所述开关器件，以调控所述开关器件的导通状态；

其中，若所述供电信号大于或等于第一供电信号阈值，则所述控制器触发所述开关器件以第一模式导通，以控制所述容性元件进行充电，

另外，若所述控制器检测到所述供电信号小于第二供电信号阈值，则所述控制器触发所述开关器件以第二模式导通，以控制所述容性元件进行放电。

4.根据权利要求3所述的驱动控制电路，其特征在于，所述开关器件包括：

功率管，与所述容性元件串联，所述功率管的控制端连接至所述控制器的指令输出端，所述指令输出端向所述控制端输出控制指令，所述控制指令被配置为控制所述功率管导通或截止；

反偏续流二极管，所述反偏续流二极管的两端分别连接至所述功率管的漏极和源极，

其中，若所述功率管导通，则所述容性元件经所述功率管向所述负载放电，若所述功率管截止，则所述容性元件经所述反偏续流二极管充电或不动作。

5.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，还包括：

整流模块，设于所述容性元件的输入端与所述电网系统之间，所述整流模块被配置为将所述供电信号转换为直流信号，

其中，所述直流信号被配置为向所述容性元件充电，以及提供所述负载运行所需的电量，所述逆变器被配置为控制所述直流信号驱动所述负载运行。

6.根据权利要求4所述的驱动控制电路，其特征在于，

若所述负载包括单相交流负载，则所述逆变器包括对应的单相逆变电路，所述单相逆变电路包括：

两个上桥臂功率器件和两个下桥臂功率器件，接入于所述电压吸收补偿支路的输出端与所述负载的输入端之间，

若所述负载包括三相交流负载，则所述逆变器包括对应的三相逆变电路，所述三相逆变电路包括：

三个上桥臂功率器件和三个下桥臂功率器件，接入于所述电压吸收补偿支路的输出端与所述负载的输入端之间，

其中，一个相位的所述上桥臂功率器件与一个对应相位的所述下桥臂功率器件串联相接，同一相位的所述上桥臂功率器件与所述下桥臂功率器件不同时导通。

7.根据权利要求6所述的驱动控制电路，其特征在于，

任一所述上桥臂功率器件的源极和漏极之间接有一个反偏续流二极管，记作上桥臂反偏续流二极管，

任一所述下桥臂功率器件的源极和漏极之间接有一个反偏续流二极管，记作下桥臂反偏续流二极管。

8.根据权利要求6所述的驱动控制电路，其特征在于，

任一所述上桥臂功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管和/或绝缘栅双极型晶体管，

任一所述下桥臂功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管和/或绝缘栅双极型晶体管，

其中，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极作为所述漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极作为所述源极连接。

9.根据权利要求6所述的驱动控制电路，其特征在于，

所述功率管包括金属氧化物半导体场效应晶体管和/或绝缘栅双极型晶体管，

其中，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极作为所述控制端连接至所述控制器的指令输出端，所述绝缘栅双极型晶体管的基极作为所述控制端连接至所述控制器的指令输出端。