[发明专利]从基底移除陶瓷涂层的方法在审
| 申请号： | 201910289323.X | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110359005A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | L.B.库尔 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C23C8/04 | 分类号： | C23C8/04;C23C8/80;C23C8/24;C23G1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨忠;金飞 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷涂层 金属构件 基底移 氟化物源 硝酸 掩模 掩蔽 饱和磁化 富氮 移除 扩散 暴露 | ||
1.一种用于从基底移除陶瓷涂层的方法，所述方法包括：使所述陶瓷涂层与包括氟化物源和硝酸的组合物接触，其中所述陶瓷涂层包括硅化铝、硅酸铝钠、硅酸铝钾、硅酸铝钾钠或它们的组合。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氟化物源包括氢氟酸。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氟化物源包括氟化铵、二氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化锂或它们的组合。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组合物中的所述氟化物源的量处于从大约5重量%到大约30重量%的范围中。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组合物中的所述硝酸的量处于从大约50重量%到大约95重量%的范围中。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层在处于从大约25℃到大约60℃的范围中的温度下与所述组合物接触。
7. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层与所述组合物接触达处于从大约10 分钟到大约60 分钟的范围中的持续时间。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底包括金属合金。
9.一种形成在饱和磁化强度方面有变化的构件的方法，所述方法包括：
使用陶瓷涂层来掩蔽金属构件的表面的选定部分，以形成带掩模的金属构件；
通过使所述带掩模的金属构件暴露于富氮气氛而使氮选择性地扩散到所述金属构件中；以及
通过使所述陶瓷涂层与包括氟化物源和硝酸的组合物接触而从所述金属构件的所述表面移除所述陶瓷涂层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述氟化物源包括氢氟酸。
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