[发明专利]进行电源管理的方法、记忆装置和其控制器、和电子装置

说明书

本发明公开了一种用来在一记忆装置中进行电源管理的方法、相关的记忆装置及其控制器、以及相关的电子装置。所述记忆装置包括一非挥发性存储器，且所述非挥发性存储器包括至少一非挥发性存储器组件。所述方法可包括：在所述记忆装置的一初始化阶段，侦测一主装置是否支持对应于一第一通信协议的通信；以及在侦测到所述主装置支持对应于所述第一通信协议的通信前，控制所述记忆装置中的一实体层电路保持在电源关闭状态以节省电源，其中所述实体层电路支持对应于所述第一通信协议的通信。通过本发明，所述控制器(例如其内的电源开启控制电路)可选择性地开启或关闭所述控制器中的一或多个对应的电源开关，故不会有不必要的耗电问题。

技术领域

本发明是关于存储器控制，特别指一种用来在一记忆装置中进行电源管理的方法、相关的记忆装置及其控制器、以及相关的电子装置。

背景技术

近年来由于存储器的技术不断地发展，各种可携式或非可携式记忆装置(例如：分别符合SD/MMC、CF、MS以及XD标准的记忆卡；又例如：分别符合UFS以及eMMC标准的嵌入式(embedded)记忆装置)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的存储器的存取控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(single level cell,SLC)与多阶细胞(multiple level cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memory cell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞的晶体管的存储能力可被充分利用，其采用较高的电压来驱动，以通过不同的电压位准在一个晶体管中记录至少两组位信息(诸如00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的至少两倍，这对于NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保记忆装置对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据现有技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足之处。例如：记忆装置诸如符合安全数字(Secure Digital，简称“SD”)标准的记忆卡可称为“SD记忆卡”，基于具备六位SD接口的架构，SD记忆卡的最大传输效率可达到每秒104 MB(megabyte；百万位组)，而当存储容量随着存储器技术的进步变得越来越大，这样的传输效率似乎就变得不够用了。虽然现有技术尝试去修正这个问题，例如通过不同的接口来实施，但也因而引入其他的问题。因此，需要一种新颖的方法及相关架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下解决现有技术的问题。

发明内容

本发明的一目的在于公开一种用来在一记忆装置(例如快捷安全数字(SDExpress，可简称“快捷SD”)记忆卡等)中进行电源管理的方法以及设备(apparatus)，例如在一初始化阶段的期间以相关侦测作辅助，以解决上述的问题。

本发明至少一实施例公开一种用来在一记忆装置中进行电源管理的方法。所述记忆装置可包括一非挥发性存储器(non-volatile memory,NV memory)，且所述非挥发性存储器可包括至少一非挥发性存储器组件(例如一或多个非挥发性存储器组件)。所述方法可包括：在所述记忆装置的一初始化阶段的期间，侦测一主装置是否支持对应于一第一通信协议(communications protocol)的通信；以及在侦测到所述主装置支持对应于所述第一通信协议的通信前，控制所述记忆装置中的一实体层(physical layer,PHY)电路保持在一电源关闭状态以节省电源，其中所述实体层电路支持对应于所述第一通信协议的通信。