[发明专利]掺锡氧化铟粉中硅含量的测定方法有效

专利信息
申请号: 201910266439.1 申请日: 2019-04-03
公开(公告)号: CN109827918B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 黄肇敏;韦猛;赖馥馨;林葵;周素莲;黎颖;李健;罗艳;胡永玫;黎羿合;韦莉;聂小明;黄一帆;刘平;何贵香;邓卫利;李凤 申请(专利权)人: 广西壮族自治区冶金产品质量检验站;广西壮族自治区分析测试研究中心;桂林理工大学南宁分校
主分类号: G01N21/31 分类号: G01N21/31
代理公司: 南宁市来来专利代理事务所(普通合伙) 45118 代理人: 来光业
地址: 530023 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 氧化 铟粉中硅 含量 测定 方法
【说明书】:

发明属于理化检测技术领域,具体涉及一种掺锡氧化铟粉中硅含量的测定方法,采用钼蓝光度法进行测定掺锡氧化铟粉中硅的含量,具体包括制备标准溶液、分析试样溶液的制备、测定、分析结果的计算等步骤。采用本发明的方法能够快速、准确、高效的测定出掺锡氧化铟粉中硅的含量,且该方法简便、可靠,可用来监控掺锡氧化铟粉的质量,促进掺锡氧化铟粉行业的健康发展。

技术领域

本发明属于理化检测技术领域,具体涉及一种掺锡氧化铟粉中硅含量的测定方法。

背景技术

氧化铟锡(ITO,或者掺锡氧化铟)是一种铟(III族)氧化物(In2O3) and锡(IV族)氧化物(SnO2)的混合物,通常质量比为90% In2O3,10% SnO2。它在薄膜状时,透明,略显茶色。在块状态时,它呈黄偏灰色。ITO主要用于制作液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸屏、电子纸、有机发光二极管、以及太阳能电池、和抗静电镀膜还有EMI屏蔽的透明传导镀膜。ITO也被用于各种光学镀膜,最值得注意的有建筑学中红外线-反射镀膜(热镜)、汽车、还有钠蒸汽灯玻璃等。别的应用包括气体传感器、抗反射膜、和用于VCSEL激光器的布拉格反射器。掺锡氧化铟(Indium tin oxide,IT0)是一种n型半导体材料,在实际应用中多以薄膜的形式出现。ITO薄膜具有对可见光透明、强烈反射红外光、电阻低的特性,应用广泛。ITO薄膜的制备一般都是先将ITO粉末制成靶材,然后用直流磁控溅射法将靶材制成ITO薄膜,对于制备靶材所用的ITO粉末,要求纯度高、粒度细、分散性好、掺杂均匀性好。

我国生产掺锡氧化铟粉的生产厂家有株冶集团、威海宝丽佳电子有限公司、河北鹏达新材料科技有限公司、柳州百韧特先进材料有限公司(柳州华锡铟锡材料有限公司)等,掺锡氧化铟粉主要作为制取ITO靶材的原料,使用量日益增多,ITO靶材通过磁控溅射获得的ITO导电膜作为透明电极广泛应用于笔记本电脑、电脑显示器、智能手机、液晶电视等,是当今信息产业极为重要的电子功能材料,应用极为广泛。而制取高性能的ITO靶材需要掺锡氧化铟粉,对掺锡氧化铟粉的要求严格。掺锡氧化铟粉的主要性能指标包括粉体的纯度、物相、粒度等。目前,掺锡氧化铟粉尚无国家标准或行业标准,产品没有统一规范、质量良莠不齐,不利于掺锡氧化铟粉的生产、应用、贸易、仲裁等。因此,作为生产ITO靶材一种低成本高质量的原材料,有必要研究一种对掺锡氧化铟粉中硅含量进行测定的方法,从而监控掺锡氧化铟粉的质量,促进掺锡氧化铟粉行业的健康发展。

发明内容

本发明的目的是提供一种掺锡氧化铟粉中硅含量的测定方法,该测定方法是采用钼蓝光度法进行测定掺锡氧化铟粉中硅的含量,采用该方法能够快速、准确、高效的测定出掺锡氧化铟粉中硅的含量,进而监控掺锡氧化铟粉的质量,促进掺锡氧化铟粉行业的健康发展。

为实现上述目的,本发明采用如下的技术方案:

一种掺锡氧化铟粉中硅含量的测定方法,采用钼蓝光度法进行测定掺锡氧化铟粉中硅的含量,具体包括如下步骤:

(1)制备标准溶液:

①硅标准贮存溶液:准确称取0.2140 g预先在1000℃灼烧1 h并于干燥器冷却至室温的二氧化硅,ωSiO2≥99.99%,置于铂坩埚中,加入2 g无水碳酸钠并混匀,于1000 ℃高温炉中熔融10 min~15 min,取出冷却,置于400 mL聚四氟乙烯烧杯中,用热水浸出熔块并洗净坩埚,加热溶解熔块,冷却至室温,移入1 000 mL容量瓶中,用水稀释至刻度,混匀;立即移入干燥的塑料瓶中;此溶液1 mL 含0.1 mg 硅;

②硅标准溶液A: 移取20.00 mL硅标准贮存溶液于100 mL容量瓶中,用水稀释至刻度,混匀,立即移入干燥的塑料瓶中,此溶液1 mL 含20 µg硅,贮存于塑料瓶中;

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