[发明专利]具有表面耦合电吸收调制器阵列的光学发射器在审

专利信息
申请号: 201910265627.2 申请日: 2019-04-03
公开(公告)号: CN110350978A 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: M·艾尔夏;S·格里兰达 申请(专利权)人: 诺基亚通信公司
主分类号: H04B10/516 分类号: H04B10/516;H04B10/54;H04B10/532;H04B10/524;H04B10/50
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 芬兰*** 国省代码: 芬兰;FI
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摘要:
搜索关键词: 电吸收调制器 发射器 光学数据 四分之一波长板 光学输出信号 主平面 正交 薄半导体层 调制器阵列 光学发射器 干涉仪臂 接收输入 输出调制 在操作中 耦合 干涉仪 耦合的 耦合电 堆叠 配置 偏振 调制 反射 平行 输出 发射 干涉 吸收
【说明书】:

发明提供一种光学数据发射器,其中表面耦合反射电吸收调制器被放置在不同的干涉仪臂中且以使所述光学数据发射器能够发射使用PAM、QPSK或QAM调制来调制的光学输出信号。在一些实施例中,所述光学数据发射器经配置以通过使用两个此类干涉仪及四分之一波长板生成PDM光学输出信号,所述四分之一波长板经配置以致使所述两个干涉仪的输出偏振互相正交。所述电吸收调制器在以下意义上是表面耦合的:在操作中,这些装置中的每一者都沿大体上正交于所述装置的主平面的方向接收输入光且输出调制光。在实例实施例中,电吸收调制器包含PIN二极管,所述PIN二极管包括MQW结构且使用平行于所述装置的所述主平面的相对较薄半导体层的堆叠来实施。

技术领域

各种实例实施例涉及光学通信设备,且更具体来说(但非排他地),涉及光学发射器。

背景技术

本章节介绍可帮助促进更好地理解本发明的方面。因此,将鉴于此阅读本章节的陈述且不应将其理解为关于在现有技术内或不在现有技术内的内容的承认。

光学调制器是可用于操纵光性质,例如,光束的性质的装置。取决于控制所述光束的哪一性质,光学调制器可称为强度调制器、相位调制器、偏振调适器、空间模式调制器等。广泛范围的光学调制器用于例如电信业中采用的光学发射器中。

发明内容

本文揭示光学数据发射器的各种实施例,其中多个表面耦合反射电吸收调制器被放置在不同的干涉仪臂中且以使所述光学数据发射器能够发射使用脉冲振幅调制(PAM)、正交相移键控(QPSK)调制或正交振幅调制(QAM)调制的光学输出信号的方式操作。在一些实施例中,所述光学数据发射器经配置以通过使用两个此类干涉仪及四分之一波长板生成偏振分割多路复用(PDM)光学输出信号,所述四分之一波长板经配置以致使所述两个干涉仪的输出偏振互相正交。

所述反射电吸收调制器在以下意义上是表面耦合的:在操作中,这些装置中的每一者都沿大体上正交于所述装置的主平面的方向接收输入光且输出调制光的。在实例实施例中,反射电吸收调制器包含PIN半导体二极管,所述PIN半导体二极管包括多量子阱(MQW)结构且使用平行于所述装置的主平面的相对较薄半导体层的堆叠实施。因此,所述光学数据发射器可对所述输入光的偏振波动基本上不敏感且可提供偏振分集而无需使用偏振控制器、偏振维持光纤及/或其它相对较昂贵的偏振控制设备。

根据实例实施例,提供一种设备,其包括:多个反射电吸收调制器,其沿平面表面支撑,所述反射电吸收调制器中的每一者都经配置以接收输入光且大体上正交于所述平面表面输出调制光;及光学电路,其光学地耦合到所述多个反射电吸收调制器以形成具有多个干涉仪臂的第一光学干涉仪,所述干涉仪臂中的每一者包含所述反射电吸收调制器的相应一者;且其中所述第一光学干涉仪包括第一光学耦合器,所述第一光学耦合器经配置以通过光学地组合由所述多个干涉仪臂中的所述相应反射电吸收调制器响应于接收到所述输入光而输出的调制光来生成第一调制光学信号。

附图说明

通过实例,从以下详细描述及附图,揭示的各种实施例的其它方面、特征及益处将变得更加显而易见,其中:

图1展示根据实施例的表面耦合电吸收调制器(SCEAM)的示意性横截面侧视图;

图2A到2C图示说明根据实施例的可用于制作图1的SCEAM阵列的制造方法;

图3展示根据实施例的包含图1的SCEAM的光学组合件的框图;

图4展示根据另一实施例的包含图1的SCEAM的光学组合件的框图;

图5展示根据又另一实施例的包含图1的SCEAM的光学组合件的框图;

图6展示根据实施例的包含图1的SCEAM阵列的光学发射器的框图;

图7A到7B说明根据实施例的可用于脉冲振幅调制的图6的光学发射器的实例配置;

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