[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910252313.9 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110137801A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;刘旺平;曹阳;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射层 衬底 垂直腔面发射激光器 依次层叠 散热层 上金属电极 下金属电极 第二表面 第一表面 发光区 反射率 多层 薄膜 半导体技术领域 出光效率 反光效果 石墨烯 砷化 制作 | ||
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包括衬底(10)、散热层(20)、下反射层(21)、发光区(30)、上反射层(22)、上金属电极(41)和下金属电极(42)；所述散热层(20)、所述下反射层(21)、所述发光区(30)、所述上反射层(22)和所述上金属电极(41)依次层叠在所述衬底(10)的第一表面上，所述下金属电极(42)设置在所述衬底(10)的第二表面上，所述衬底(10)的第二表面与所述衬底(10)的第一表面相对；所述下反射层(21)包括依次层叠的多层硼烯薄膜(211)，所述散热层(20)的材料采用石墨烯或者砷化硼。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，每层所述硼烯薄膜(211)的厚度为0.3nm～0.5nm，所述下反射层(21)中硼烯薄膜(211)的数量为80个～150个。
3.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述下反射层还包括纳米Ag层(212)，所述纳米Ag层(212)位于所述散热层(20)和所述多层硼烯薄膜(211)之间。
4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述纳米Ag层(212)的厚度为2nm～5nm。
5.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述散热层(20)为叠层结构或者颗粒阵列。
6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，当所述散热层(20)为叠层结构，且所述散热层(20)的材料采用石墨烯时，所述散热层(20)的厚度为0.3nm～0.5nm；当所述散热层(20)为叠层结构，且所述散热层(20)的材料采用砷化硼时，所述散热层(20)的厚度为20nm～30nm。
7.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，当所述散热层(20)为颗粒阵列时，所述颗粒阵列中颗粒的粒径与相邻两个颗粒之间的距离之比为1:1～2:1。
8.一种垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在衬底的第一表面上依次形成散热层、下反射层、发光区、上反射层、上金属电极；
在衬底的第二表面上形成下金属电极，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一表面相对；
其中，所述下反射层包括依次层叠的多层硼烯薄膜，所述散热层的材料采用石墨烯或者砷化硼。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述下反射层采用如下方式形成：
在所述散热层上形成纳米Ag层；
在真空环境中控制蒸发形成的B原子在所述纳米Ag层上沉积，形成硼烯薄膜。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述真空环境中的压力为10-8torr～10-6torr。
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