[发明专利]用于RF和微波电路保护的微等离子体限制器

权利要求书

1.一种保护电路(100)，该保护电路被配置成保护一个或更多个电子电路(12)免受高功率信号，所述保护电路(100)包括：

第一端口(110)和第二端口(120)，所述第一端口和所述第二端口电连接至传输线路(130)的相反两端，所述第二端口(120)在操作时连接至所述一个或更多个电子电路(12)；和

限制器电路(140)，该限制器电路在操作时连接至所述传输线路(130)，并且包括与谐振器(144)连通的相变材料(142)，当在所述第一端口(110)处接收的信号的能量超过阈值时，所述相变材料(142)按限制状态配置以限制在所述第二端口(120)处所述信号的能量。

2.根据权利要求1所述的保护电路(100)，其中，当在所述第一端口(110)处接收的所述信号的能量低于所述阈值时，所述相变材料(142)按非限制状态配置。

3.根据权利要求1所述的保护电路(100)，其中：

所述限制器电路(140)选择性地电连接在所述传输线路(130)与地(150)之间；

所述限制状态包括导电状态；并且

当在所述第一端口(110)处接收的所述信号的能量超过所述阈值时，所述相变材料(142)按所述导电状态配置以将在所述第一端口(110)处接收的所述信号的能量的至少一部分重定向至所述地(150)。

4.根据权利要求1所述的保护电路(100)，其中：

所述限制器电路(140)邻近所述传输线路(130)设置；

所述限制状态包括电磁耦合状态；并且

当在所述第一端口(110)处接收的所述信号的能量超过所述阈值时，所述相变材料(142)按电磁耦合状态配置，以使所述第一端口(110)的阻抗相对于所述第二端口(120)的阻抗不匹配。

5.根据权利要求1所述的保护电路(100)，其中，按所述限制状态配置的所述相变材料(142)吸收在所述第一端口(110)处接收的所述信号的能量的至少一些，以限制在所述第二端口(120)处所述信号的能量。

6.根据权利要求1所述的保护电路(100)，所述保护电路还包括间隙芯片(146)，该间隙芯片包括：

密封腔室(160)，其中，所述相变材料(142)设置在所述密封腔室(160)中；

第一导体(162)，该第一导体至少部分地设置在所述密封腔室(160)内并且从所述密封腔室(160)延伸；和

第二导体(164)，该第二导体与所述第一导体(162)间隔开，所述第二导体(164)至少部分地设置在所述密封腔室(160)内并且从所述密封腔室(160)延伸；

其中，所述第一导体(162)和所述第二导体(164)电连接至所述谐振器(144)。

7.根据权利要求1所述的保护电路(100)，其中：

所述谐振器(144)包括缝隙谐振器，该缝隙谐振器包括两个导电部件(147a、147b)之间的间隙(148)；

所述相变材料(142)设置在所述间隙(148)中；并且

所述限制状态包括电连接所述缝隙谐振器的所述两个导电部件(147a、147b)的导电状态。

8.根据权利要求1所述的保护电路(100)，其中：

所述谐振器(144)包括四分之一波长谐振器(149)，该四分之一波长谐振器经由所述相变材料(142)选择性地连接至地(150)；并且

所述限制状态包括将所述四分之一波长谐振器(149)电连接至所述地(150)的导电状态。

9.根据权利要求1所述的保护电路(100)，其中，所述限制器电路(140)还包括偏置连接器(170)，该偏置连接器电连接至所述谐振器(144)，并且其中，所述阈值包括由施加至所述偏置连接器(170)的偏置信号控制的可变阈值。