[发明专利]无人值守的半导体器件单粒子效应测量方法有效

专利信息
申请号: 201910244195.7 申请日: 2019-03-28
公开(公告)号: CN109917263B 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 王勋;郭晓强;张凤祁;陈伟;丁李利;罗尹虹 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 王少文
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 无人 值守 半导体器件 粒子 效应 测量方法
【权利要求书】:

1.一种无人值守半导体器件单粒子效应测量方法,其特征在于,

其采用一种无人值守半导体器件单粒子效应测量系统,所述系统包括辐照板、测试板、通信模块、故障诊断及复位模块、远程计算机以及用于向通信模块、测试板和辐照板供电的主电源和不间断电源;

辐照板用于设置n个待测半导体器件,n0;

测试板与辐照板相连;测试板用于实时测量、记录单粒子效应数据,并在通信正常时将所述单粒子效应数据通过通信模块发送给所述远程计算机;测试板中配置有内存卡;

通信模块有多种,且可切换使用;

远程计算机通过多种可切换的通信模块与测试板相连接,对测试板和辐照板进行远程监控;

在辐照板和待测半导体器件之间,测试板和辐照板之间,通信模块和测试板之间采用抗震动的连接方式进行连接,辐照板、测试板、通信模块与外壳之间设置有减震垫;

通信模块、测试板和辐照板上所选用的芯片和器件的工作温度范围均满足测试环境的温度要求;

通信模块包括互联网模块、4G模块和北斗短报文通信模块;

通信模块、辐照板和测试板所采用的电子器件均为抗辐射芯片和抗辐射电子器件;抗辐照芯片和抗辐射电子器件在待测辐射环境中不发生影响系统性能效应;

所述方法具体步骤如下:

步骤1,自检及诊断故障并复位,

1.1)开机自检;

每次开机或重新上电时进行自检,监测到系统从断电中恢复断电时,读取所述内存卡中的配置数据重新配置测试系统,确保在野外无人值守环境下,系统能够继续断电前的测试工作;

1.2)定时自检;

定时或重新上电时进行自检,监测到测试板功能异常时,对测试板重新上电进行复位,确保在野外无人值守环境下,系统能够继续断电前的测试工作;

1.3)诊断故障并复位;

监测到故障后,通过重新上电的方式对系统进行复位;监测到系统从断电中恢复供电后,读取所述内存卡中的配置数据重新配置测试系统,使其继续断电前的测试工作;

步骤2,测量半导体器件单粒子效应,

2.1)向所有地址中写入数据,并初始化当前地址,进入步骤2.2);

2.2)判断当前地址所在器件是否发生单粒子闩锁,若是,则在内存卡中记录同时向远程计算机发送单粒子闩锁数据,并进入步骤2.3);若否,则进入步骤2.4);

2.3)判断当前地址所在器件是否发生硬错误,若是,则记录单粒子硬错误同时屏蔽该器件,并进入步骤2.7);若否,则向当前器件中写入数据,并进入步骤2.2);

2.4)判断并记录单粒子瞬态软错误、单粒子静态软错误和单粒子硬错误数据后进入步骤2.5);

所述步骤2.4)的具体步骤如下:

2.4.1)读取当前地址数据,并判断与写入数据是否相同,若是,则进入步骤2.5);若否,则进入步骤2.4.2);

2.4.2)读取当前地址数据,并判断与写入数据是否相同,若是,则表明发生了单粒子瞬态软错误,此时在内存卡中记录并向远程计算机发送单粒子瞬态软错误信息,进入步骤2.5);若否,则表明未发生单粒子瞬态软错误,此时向当前地址写入数据后读取数据,并进入步骤2.4.3);

2.4.3)判断当前地址读出数据与写入数据是否相同,若是,则表明发生了单粒子静态软错误,此时在内存卡中记录并向远程计算机发送单粒子静态软错误信息,进入步骤2.5);若否,则表明发生了单粒子硬错误,此时在内存卡中记录并向远程计算机发送单粒子硬错误信息,进入步骤2.5);

2.5)判断当前地址是否是所有地址空间中的最后一个地址,若是则进入步骤2.7);若否则地址加1,进入步骤2.6);

2.6)判断当前地址是否已屏蔽,若是,则进入步骤2.5);若否则返回步骤2.2);

2.7)判断是否满足结束条件,若是,则结束测试流程;若否,则进入步骤2.8);

2.8)判断预设的测试模式,若是动态测试模式,则返回步骤2.1);若是静态测试模式,则等待设定时间后初始化地址,并进入步骤2.6)。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤2.2)中,判断是否出现单粒子闩锁的依据是:根据监测的器件静态电流进行判断,如果器件的静态电流明显大于其正常工作电流,则认为该器件发生了单粒子闩锁。

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