[发明专利]温度探测装置及其制作方法在审
| 申请号： | 201910235227.7 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109994923A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;宝浩天;张一鸣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/022;H01S5/40;G01K7/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光器阵列 薄膜电路基板 金刚石薄膜层 热敏电阻 温度探测装置 制作 信号线连接 阵列激光器 多激光器 接触位置 温度传感 地电极 电路 探测 扩散 | ||
1.一种温度探测装置，其特征在于，包括：
热敏电阻(1)、激光器阵列(2)、金刚石薄膜层(4)及薄膜电路基板(5)；
所述金刚石薄膜层(4)形成在所述薄膜电路基板(5)表面，所述热敏电阻(1)及激光器阵列(2)装设在所述金刚石薄膜层(4)表面；
所述金刚石薄膜层(4)上与所述热敏电阻(1)及激光器阵列(2)的接触位置开设有窗口，使得所述热敏电阻(1)一端及所述激光器阵列(2)的N极均连接所述薄膜电路基板(5)的地电极，所述激光器阵列(2)的P极与所述薄膜电路基板(5)的信号线连接。
2.根据权利要求1所述的温度探测装置，其特征在于，所述金刚石薄膜层(4)的厚度不小于5μm。
3.根据权利要求1所述的温度探测装置，其特征在于，所述金刚石薄膜层(4)的面积不大于所述薄膜电路基板(5)地电极的面积。
4.根据权利要求1所述的温度探测装置，其特征在于，所述窗口的面积小于所述热敏电阻(1)及激光器阵列(2)与所述金刚石薄膜层(4)接触面的面积。
5.根据权利要求1所述的温度探测装置，其特征在于，所述温度探测装置还包括：热沉(6)及半导体制冷器(7)；
所述薄膜电路基板(5)形成在所述热沉(6)表面，所述热沉(6)形成在所述半导体制冷器(7)表面。
6.一种温度探测装置制作方法，其特征在于，包括：
S1，在薄膜电路基板(5)上沉积金刚石薄膜层(4)；
S2，对所述金刚石薄膜层(4)上预装设热敏电阻(1)及激光器阵列(2)的位置做开窗处理；
S3，在所述金刚石薄膜层(4)装设热敏电阻(1)及激光器阵列(2)。
7.根据权利要求6所述的温度探测装置制作方法，其特征在于，在步骤S1中，沉积时，使得所述金刚石薄膜层(4)的厚度不小于5μm。
8.根据权利要求6所述的温度探测装置制作方法，其特征在于，在步骤S1中，沉积时，使得所述金刚石薄膜层(4)的面积不大于所述薄膜电路基板(5)的底电极面积。
9.根据权利要求6所述的温度探测装置制作方法，其特征在于，在步骤S2中，做开窗处理时，使得开设的窗口的面积小于所述热敏电阻(1)及激光器阵列(2)与所述金刚石薄膜层(4)接触面的面积。
10.根据权利要求6所述的温度探测装置制作方法，其特征在于，在步骤S1之前还包括：
S0，在半导体制冷器(7)表面制作热沉(6)，将所述薄膜电路基板(5)制作在所述热沉(6)表面。
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