[发明专利]一种用于硅片抛光的纳米氧化铈的制备方法在审
| 申请号： | 201910221796.6 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN109734121A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 韦家谋;田震;罗冷 | 申请（专利权）人： | 韦家谋 |
| 主分类号： | C01F17/00 | 分类号： | C01F17/00;C09G1/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙明新专利代理事务所(普通合伙) 43222 | 代理人： | 徐新 |
| 地址： | 410082 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米氧化铈 硅片抛光 粉料 浆料 制备 硅酸盐 硅酸盐加水 生产成本低 搅拌溶解 粒径分布 吸收处理 对设备 粒径 球磨 闪蒸 煅烧 铈盐 尾气 溶解 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于硅片抛光的纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、将一定量的硅酸盐加水搅拌溶解，再将不溶解的铈盐加到硅酸盐与水的溶液中，经过球磨，得到均匀分散好的浆料；
b、将步骤a所得的浆料采用闪蒸的方式进行干燥，得到干燥的、均匀的、细致的粉料；
c、将步骤 b所得的粉料进行煅烧，即成。
2.根据权利要求1所述的用于硅片抛光的纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述的硅酸盐为硅酸钠或氟硅酸钠。
3.根据权利要求1或2所述的用于硅片抛光的纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述的不溶解铈盐为碳酸铈或草酸铈。
4.根据权利要求1或2所述的用于硅片抛光的纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤a中，所用的硅酸钠与不溶解的铈盐的质量比为0.05～0.5:1。
5.根据权利要求1或2所述的用于硅片抛光的纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤c中，煅烧所用设备为马弗炉、推板窑、回转窑或悬浮煅烧炉。
6.根据权利要求1或2所述的用于硅片抛光的纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤c中，煅烧的温度为500～900℃，煅烧的时间为30～60min。
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